軟X線角度分解光電子分光によるYbRhSiの価電子帯構造

Valence band structure of YbRhSi studied by soft X-ray angle-resolved photoemission spectroscopy

保井 晃; 藤森 伸一   ; 川崎 郁斗  ; 岡根 哲夫  ; 竹田 幸治   ; 斎藤 祐児  ; Lapertot, G.*; Knebel, G.*; 松田 達磨; 芳賀 芳範   ; 山上 浩志

Yasui, Akira; Fujimori, Shinichi; Kawasaki, Ikuto; Okane, Tetsuo; Takeda, Yukiharu; Saito, Yuji; Lapertot, G.*; Knebel, G.*; Matsuda, Tatsuma; Haga, Yoshinori; Yamagami, Hiroshi

YbRhSiは量子臨界点(QCP)に近い物質として近年注目を集めており、わずかな外場により量子臨界点を跨ぐことができる。これまで、QCP及びその近傍の物性を理解するために多くの電子構造研究がなされてきたが、未だバルクの電子構造の十分な理解には至っていない。YbRhSiの電子構造を正確に記述できる理論モデルを確立するためにも実験的にYb4バンドを含む価電子帯構造を観測することが必要不可欠である。われわれはYbRhSiのバルクの価電子帯構造を得るために軟X線角度分解光電子分光実験を行った。得られた価電子帯構造はLuRhSiの局所密度近似をもとにした計算結果とよく似ていた。一方で、Yb 4バンドがフェルミエネルギー付近に観測された。

In recent years, YbRhSi has been attracted much attention because it can be turned through a quantum critical point (QCP) by various small changes of control parameters. Many studies on its electronic structure have been performed for this compound to understand the nature of the QCP, but its bulk electronic structure has not been understood. Experimental observations of the valence-band structure including Yb 4 bands are needed to establish the theoretical model which describes the electronic structure of YbRhSi correctly. We have performed the soft X-ray angle-resolved photoemission spectroscopy for YbRhSi to obtain its bulk valence-band structure. Experimental valence-band structure is similar to the calculated result of LuRhSi within a local-density approximation, while the Yb 4 bands are observed near Fermi level.