CeLaRuSi混晶系のCe希薄領域でのフェルミ面の変化,3

Change of Fermi surface properties in dilute Ce concentration of CeLaRuSi system, 3

松本 裕司; 木村 憲彰*; 小松原 武美*; 青木 晴善*; 栗田 伸之*; 寺嶋 太一*; 宇治 進也*

Matsumoto, Yuji; Kimura, Noriaki*; Komatsubara, Takemi*; Aoki, Haruyoshi*; Kurita, Nubuyuki*; Terashima, Taichi*; Uji, Shinya*

CeRuSiは、正方晶ThCrSi型結晶構造で、350mJ/mol Kの電子比熱係数を持つ典型的な重い電子系である。この物質の[001]方向に磁場を印加すると、約7.7Tでクロスオーバー的なメタ磁性転移を起こす。dHvA効果測定によると、このメタ磁性とともに、f電子が遍歴から局在に変化するようなフェルミ面の変化を起こす。一方、(001)面内に磁場を印加した時は、メタ磁性も起こさず、f電子は遍歴のままである。この大きな磁気異方性は、CeRuSiのCeをLaに希釈しても、常に存在する。われわれは、dHvA効果測定により、(001)面内に磁場を印加したときに、f電子のないLaRuSiのLaをわずかにCeに置換したCe濃度において、f電子が遍歴している可能性が高いことを明らかにした。もし、Ce希薄濃度で既にf電子が遍歴しているとすれば、高温で局在していたf電子が、不純物近藤効果により降温で遍歴するはずである。今回は、新たにCe希薄濃度において温度によるフェルミ面の変化を、dHvA効果の測定により観測した。

We have performed the de Haas - van Alphen (dHvA) effect measurements in CeLaRuSi with magnetic fields in the (001) plane. All the oscillations corresponding to those in LaRuSi can be observed in low Ce concentration samples and the evolution of the Fermi surface properties with x is found to depend strongly on the Fermi surface sheet. We will argue that the evolution can be attributed to anisotropic hybridization of the f electron with conduction electrons and resultant delocalization of the f electron.