フェムト秒レーザー照射による表面及び内部におけるSiC改質部の電気伝導特性

Electrical conduction properties of femotosecond laser modified region on surface and inside of SiC

伊藤 拓人*; 大西 諒*; 出来 真斗; 富田 卓朗*; 松尾 繁樹*; 橋本 修一*; 北田 貴弘*; 井須 俊郎*; 小野田 忍; 大島 武

Ito, Takuto*; Onishi, Ryo*; Deki, Manato; Tomita, Takuro*; Matsuo, Shigeki*; Hashimoto, Shuichi*; Kitada, Takahiro*; Isu, Toshiro*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi

フェムト秒レーザーを炭化ケイ素(SiC)基板に照射することでSiC中の電気伝導制御を試みた。フェムト秒レーザーを半絶縁性六方晶(6H)SiC基板のSi面に照射した。照射領域の抵抗率とレーザーの偏光方向との関係を検証した結果、これまで明らかにされていなかった円偏光の条件においては、抵抗値が5桁以上も低下することが明らかになった。さらに、Scanning Electron Microscopes (SEM)観察とラマン分光測定をしたところ、今回の円偏光の場合は、これまでに5桁抵抗値が減少することを明らかにしたレーザー走査方向と平行な直線偏光の場合と類似する構造と組成であることが見いだされた。これにより、照射領域の抵抗率とレーザーの偏光方向との関係が明らかになった。

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