Ge(100)-21表面の超音速酸素分子線による室温酸化促進

Enhancement of oxidation of Ge(100)-21 surface at room temperature induced by supersonic O beam

Yoshigoe, Akitaka; Okada, Ryuta; Teraoka, Yuden; Yamada, Yoichi*; Sasaki, Masahiro*; Jinno, Muneaki*

Si系LSIの電界効果トランジスタの新チャネル材料として、Siよりもキャリア移動度等で優れた物性を有するGeが注目されており、Ge酸化物とその生成機構の解明が重要となっている。本研究では、代表的なGe低指数面であるGe(100)-21表面の超音速酸素分子線(2.2eV)とバックフィリングによる室温酸化を放射光XPSによるその場分析で比較した。超音速酸素分子線による吸着曲線の変化、吸着酸素量の増加と関連する吸着サイトの違いを明らかにした。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第32回表面科学学術講演会
開催年月	:	2012/11
開催都市	:	仙台
開催国	:	日本
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使用施設	:	SPring-8(大型放射光施設)
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