Atomic configurations of Ge(001)-Pt and TiO(110) surfaces studied by high-brightness reflection high-energy positron diffraction

高輝度反射高速陽電子回折によるGe(001)-PtとTiO(110)表面の原子配置の研究

望月 出海*; 有賀 寛子*; 深谷 有喜   ; 和田 健*; 兵頭 俊夫*; 朝倉 清高*; 前川 雅樹; 河裾 厚男

Mochizuki, Izumi*; Ariga, Hiroko*; Fukaya, Yuki; Wada, Ken*; Hyodo, Toshio*; Asakura, Kiyotaka*; Maekawa, Masaki; Kawasuso, Atsuo

反射高速陽電子回折(RHEPD)は、反射高速電子回折(RHEED)の陽電子版であり、きわめて表面敏感な手法である。電子の場合とは異なり、陽電子の結晶ポテンシャルは正であるため、ある臨界角以下の視射角で入射した陽電子は全反射される。この特徴により、RHEPD法は結晶表面の最上層に非常に敏感な手法となる。最近、高エネルギー加速器研究機構低速陽電子実験施設にて、電子線形加速器ベースの高強度陽電子ビームを用いた新たなRHEPD装置を開発した。輝度増強ユニットを導入し、全反射条件下の結晶表面からの鮮明な回折パターンの観測に成功した。本研究では、この新たな装置を用い、Ge(001)-Ptとルチル型のTiO(110)表面の原子配置と表面相転移について研究した。相転移温度前後でRHEPDのロッキング曲線を測定し、動力学的回折理論に基づく強度解析から、それぞれの表面での原子配置を決定した。

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