C同位体濃縮ダイヤモンドのホモエピタキシャル合成C-enriched homoepitaxial diamond films growth寺地 徳之*; 山本 卓*; 小泉 聡*; 渡邊 賢司*; 谷口 尚*; 小野田 忍; 大島 武; Naydenov, B.*; Jelezko, F.*; 磯谷 順一*
Teraji, Tokuyuki*; Yamamoto, Takashi*; Koizumi, Satoshi*; Watanabe, Kenji*; Taniguchi, Takashi*; Onoda, Shinobu; Oshima, Takeshi; Naydenov, B.*; Jelezko, F.*; Isoya, Junichi*
本研究では、C炭素同位体比が天然存在比より約3桁高い同位体濃縮メタンガスを用いてダイヤモンド薄膜を合成し、その発光特性を評価した。発光特性の評価には、窒素イオンを照射することで作製した窒素-空孔欠陥(NVセンター)からの発光を利用した。測定の結果、照射領域からはNVセンター固有の発光スペクトルが観測された。NVセンターに加えて、シリコン-空孔欠陥(SiVセンター)が、0.01ppb以下の密度ではあるが、照射領域近傍で観測された。一方、照射領域以外からは余分な発光が検出されることはなく、良質のダイヤモンドホモエピタキシャル膜が作製できたといえる。
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使用言語 |
: | Japanese |
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開催年月 |
: | 2013/09 |
開催都市 |
: | 京田辺 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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