深谷 有喜 
; 望月 出海*; 前川 雅樹; 和田 健*; 兵頭 俊夫*; 松田 巌*; 河裾 厚男
Fukaya, Yuki; Mochizuki, Izumi*; Maekawa, Masaki; Wada, Ken*; Hyodo, Toshio*; Matsuda, Iwao*; Kawasuso, Atsuo
電子線形加速器ベースの輝度増強された高強度の陽電子ビームを用いた反射高速陽電子回折法により、Ag(111)表面上のシリセンの構造を決定した。ロッキング曲線の解析から、シリセンはバックリングした構造を持つことが明らかになり、その上層と下層の間隔は0.83
であることが分かった。またシリセンの下層と第一Ag層の間隔は、2.14 と決定した。これらの値は、0.05の誤差範囲内で、以前の理論研究により予測されていた値とよく一致することが分かった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 88 |
号 |
: | 20 |
ページ数 |
: | p.205413_1 - 205413_4 |
発行年月 |
: | 2013/11 |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
: |
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広報プレスリリース |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：90.98 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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