Si(100)-21表面の分子状吸着状態の放射光リアルタイム光電子分光による時分割観察

Time-resolved observation of molecular adsorbed oxygen at Si(100)-21 surface using real-time synchrotron radiation photoelectron spectroscopy

吉越 章隆 ; 岡田 隆太; 寺岡 有殿; 岩井 優太郎*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

Yoshigoe, Akitaka; Okada, Ryuta; Teraoka, Yuden; Iwai, Yutaro*; Yamada, Yoichi*; Sasaki, Masahiro*

Si(100)表面の酸素分子による酸化の基礎的理解は、Si-MOSFETのゲート酸化膜を形成するうえで重要である。酸化反応素過程のうち、解離吸着前の前駆的吸着状態(プレカーサー)の存在の研究は、吸着過程の理解に極めて重要となる。Si(100)-21表面の室温酸化における分子状吸着状態の酸化の進行に伴う変化を放射光リアルタイム光電子分光によって観察した結果を報告する。

Understanding of fundamental aspects of oxidation at Si(100) surface using O gas is essential for fabrication of gate-oxide films with the thickness of atomic-scale in Si-based MOSFET. The study of precursor states prior to dissociative adsorption is important to clarify the oxidation mechanism. We present the time-evolution of molecular chemisorbed oxygen observed by synchrotron radiation real-time photoelectron spectroscopy.