Recent results with total-reflection high-energy positron diffraction (TRHEPD)

全反射高速陽電子回折(TRHEPD)の最近の成果

兵頭 俊夫*; 深谷 有喜   ; 望月 出海*; 和田 健*; 前川 雅樹; 設楽 哲夫*; 一宮 彪彦*; 河裾 厚男

Hyodo, Toshio*; Fukaya, Yuki; Mochizuki, Izumi*; Wada, Ken*; Maekawa, Masaki; Shidara, Tetsuo*; Ichimiya, Ayahiko*; Kawasuso, Atsuo

全反射高速陽電子回折(TRHEPD)は、反射高速電子線回折(RHEED)の陽電子版である。現在、高エネルギー加速器研究機構(KEK)の低速陽電子実験施設では、高強度陽電子ビームを用いたTRHEPDステーションが稼働中である。TRHEPD(以前は、反射高速陽電子回折(RHEPD)と呼ばれていた)は、1992年に提案され、1998年に実証された。TRHEPDのもっとも際立った特徴は2つある。一つ目は、ある臨界角以下の視射角で結晶表面に入射した陽電子は全反射を起こし、その回折パターンは最表面だけの情報を含むことである。2つ目は、臨界角を少し超えると、その回折パターンは表面直下の情報を含むことである。いずれの場合も、回折パターンがバルク原子からの寄与を含まないことは特筆すべきことである。本講演では、シリコン表面を例に、TRHEPD法が最表面とその直下の構造に敏感なことを紹介する。

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