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放射光XPSによるSi(100)2$$times$$1へのCH$$_{3}$$Cl吸着反応の研究

Study on adsorption reaction of CH$$_{3}$$Cl on Si(100)2$$times$$1 by means of SR-XPS

塚田 千恵; 吉田 光; 岡田 美智雄*; 吉越 章隆 ; 矢板 毅

Tsukada, Chie; Yoshida, Hikaru; Okada, Michio*; Yoshigoe, Akitaka; Yaita, Tsuyoshi

SiやAlの酸化物で構成される粘土鉱物から放射性Csをハロゲン化物として脱離する方法を検討しているが、その脱離反応のメカニズムは不明である。我々は粘土鉱物とハロゲン系ガスの反応モデルとしてSi基板とCH$$^{3}$$Clを選び、並進運動エネルギーを変化させたCH$$^{3}$$Cl分子線照射によるCs/Si基板での反応解明を目的としている。本研究では第一段階として、CH3ClのSi(100)2$$times$$1に対する反応を放射光XPSで調べたが、CH$$^{3}$$やClでSiダイマー原子に吸着したと考えられる。

Cs in clay mineral will be easy to desorb as halide. We should investigate the desorption mechanism. The clay mineral is constructed mainly by oxide with Si and Al. Thus, Si substrate and CH$$^{3}$$Cl are selected as the reaction model materials. The final purpose is to reveal the reaction for CH$$^{3}$$Cl molecular beam on Cs/Si substrate by means of XPS with synchrotron radiation (SR-XPS). As the first step, the purpose in this study is to reveal the adsorption reaction for CH$$^{3}$$Cl molecular beam on Si(100)2$$times$$1 by means of SR-XPS. The CH$$^{3}$$Cl will adsorb at CH$$^{3}$$ and/or Cl group on the Si dimer atom, respectively.

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