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軟X線角度分解光電子分光法によるEuCu$$_2$$Ge$$_2$$とEuCu$$_2$$Si$$_2$$の電子状態の研究

Electronic states of EuCu$$_2$$Ge$$_2$$ and EuCu$$_2$$Si$$_2$$ studied by soft X-ray angle-resolved photoemission spectroscopy

川崎 郁斗  ; 藤森 伸一   ; 竹田 幸治   ; 山上 浩志*; 伊覇 航*; 辺土 正人*; 仲間 隆男*; 大貫 惇睦*

Kawasaki, Ikuto; Fujimori, Shinichi; Takeda, Yukiharu; Yamagami, Hiroshi*; Iha, Wataru*; Hedo, Masato*; Nakama, Takao*; Onuki, Yoshichika*

EuCu$$_2$$(Ge$$_{1-x}$$Si$$_x$$)$$_2$$はSi濃度を変化させることでEuの価数が変化し、磁気的な基底状態をもつEu$$^{2+}$$(x=0)の状態から非磁性のEu$$^{3+}$$(x=1)の状態に移り変わる。また、磁気秩序が消失するx=0.65近傍では重い電子状態が発現することが知られている。本講演では両端のEuCu$$_2$$Ge$$_2$$とEuCu$$_2$$Si$$_2$$に対して実施した角度分解光電子分光測定の結果について紹介し、Siドープによって引き起こされる電子状態の変化について議論する。

The Eu valence state of EuCu$$_2$$(Ge$$_{1-x}$$Si$$_x$$)$$_2$$ evolves with the Si concentration and the magnetic Eu$$^{2+}$$(x=0) state changes into the non-magnetic Eu$$^{3+}$$(x=1) state. In this presentation, we will present the results of angle-resolved photoemission experiments performed on EuCu$$_2$$Ge$$_2$$ and EuCu$$_2$$Si$$_2$$ and discuss the evolution of its electronic state with the Si concentration.

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