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Strong flux pinning by columnar defects with directionally dependent morphologies in GdBCO-coated conductors irradiated with 80 MeV Xe ions

80MeV Xeイオンを照射したGdBCOコート伝導体中の柱状欠陥の形態が方向に依存することを利用した強い磁束ピニング

末吉 哲郎*; 上滝 哲也*; 古木 裕一*; 藤吉 孝則*; 千星 聡*; 尾崎 壽紀*; 坂根 仁*; 工藤 昌輝*; 安田 和弘*; 石川 法人

Sueyoshi, Tetsuro*; Kotaki, Tetsuya*; Furuki, Yuichi*; Fujiyoshi, Takanori*; Semboshi, Satoshi*; Ozaki, Toshinori*; Sakane, Hitoshi*; Kudo, Masaki*; Yasuda, Kazuhiro*; Ishikawa, Norito

GdBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$Oy (GdBCO)コート超伝導体に対して、80MeV Xeイオンを異なる方向から照射することにより、異なる方向の柱状欠陥を一つの試料に対して導入した。その結果、45$$^{circ}$$方向から照射することで導入される柱状欠陥は連続形状でかつ直径が大きく、一方でc軸方向(0$$^{circ}$$方向)から照射することで導入される柱状欠陥は不連続形状でかつ直径が小さい、ということが分かった。柱状欠陥の形態が導入方向に依存することを利用すると、臨界電流密度を効果的に向上させることができる、ということが分かった。

We show that Xe ion irradiation with 80 MeV to GdBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$Oy-coated conductors creates different morphologies of columnar defects (CDs) depending on the irradiation angles relative to the c-axis: continuous CDs with a larger diameter are formed for oblique irradiation at $$theta_{rm i}$$ = 45$$^{circ}$$, whereas the same ion beam at a different angle ($$theta_{rm i}$$ = 0$$^{circ}$$) induces the formation of discontinuous CDs. The direction-dependent morphologies of CDs significantly affect the angular behavior of the critical current density $$J_{rm c}$$.

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パーセンタイル:45.83

分野:Physics, Applied

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