Electronic structure of a (33)-ordered silicon layer on Al(111)

Al(111)表面上の(33)周期Si層の電子構造

佐藤 祐輔*; 深谷 有喜   ; Cameau, M.*; Kundu, A. K.*; 志賀 大亮*; 湯川 龍*; 堀場 弘司*; Chen, C.-H.*; Huang, A.*; Jeng, H.-T.*; 尾崎 泰助*; 組頭 広志*; 新部 正人*; 松田 巌*

Sato, Yusuke*; Fukaya, Yuki; Cameau, M.*; Kundu, A. K.*; Shiga, Daisuke*; Yukawa, Ryu*; Horiba, Koji*; Chen, C.-H.*; Huang, A.*; Jeng, H.-T.*; Ozaki, Taisuke*; Kumigashira, Hiroshi*; Niibe, Masahito*; Matsuda, Iwao*

本研究では、放射光角度分解光電子分光を用いて、Al(111)表面上の33周期を持つSi層の電子バンド構造を解明した。実験では、線形のエネルギー分散に起因する閉じたフェルミ面を観測した。ハニカム状のシリセンをモデル構造とした第一原理計算の結果、これは基板との混成状態を起源としたディラックコーン様の金属バンドと考えられる。Al(111)表面上のSi層は、基板との相互作用によりディラック電子を発現し、いわゆるXeneと呼ばれる2次元物質群のモデルシステムになりうることを示唆する。

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