Ion tracks in silicon formed by much lower energy deposition than the track formation threshold

トラック形成しきい値よりもはるかに低いエネルギー付与によって形成されたシリコン中のイオントラック

雨倉 宏*; Toulemonde, M.*; 鳴海 一雅*; Li, R.*; 千葉 敦也*; 平野 貴美*; 山田 圭介*; 山本 春也*; 石川 法人   ; 大久保 成彰   ; 斎藤 勇一*

Amekura, Hiroshi*; Toulemonde, M.*; Narumi, Kazumasa*; Li, R.*; Chiba, Atsuya*; Hirano, Yoshimi*; Yamada, Keisuke*; Yamamoto, Shunya*; Ishikawa, Norito; Okubo, Nariaki; Saito, Yuichi*

シリコンへ6MeV Cイオン照射すると直径10nmのイオントラック損傷が形成されることを見出した。これは、従来知られているイオンエネルギーしきい値(17MeV)よりもはるかに低いエネルギーである。従来知られているような電子的阻止能に由来したイオントラック形成メカニズムだけでは説明できず、それだけでなく核的阻止能に由来した効果も存在する可能性を示唆している。

We report the track formation of 10 nm in diameter in silicon irradiated with 6 MeV C, i.e., much lower energy than the previously reported energy threshold.