鈴木 誠也 
; 寺澤 知潮 ; 勝部 大樹*; 矢野 雅大 ; 津田 泰孝 ; 柚原 淳司*; 吉越 章隆 ; 朝岡 秀人
Suzuki, Seiya; Terasawa, Tomoo; Katsube, Daiki*; Yano, Masahiro; Tsuda, Yasutaka; Yuhara, Junji*; Yoshigoe, Akitaka; Asaoka, Hidehito
Ag薄膜からのゲルマネン析出は加熱時間を長くしてもGe析出量が変化しないことが分かっている。これは、析出したGeが一旦Ag表面を埋め尽くすと、さらなるGe析出が阻害されることを示唆している。ゲルマネンの層数で自己組織的に安定することはメリットである一方、多層化が難しいことは制御性の課題と言える。そこで本研究では偏析ゲルマネン上へのGe薄膜を追加蒸着とアニールを行うことで多層化について検討した。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2023/09 |
開催都市 |
: | 熊本 |
開催国 |
: | 日本 |
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