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Single crystal growth and Fermi surface properties of uranium compounds

ウラン化合物の単結晶育成とフェルミ面の性質

常盤 欣文; 青木 大*; 芳賀 芳範  ; 山本 悦嗣  ; Wi$'s$niewski, P.*; 大貫 惇睦

Tokiwa, Yoshifumi; Aoki, Dai*; Haga, Yoshinori; Yamamoto, Etsuji; Wi$'s$niewski, P.*; Onuki, Yoshichika

重い電子系の示すさまざまな物性は、準粒子のコヒーレンスの発達によって起こるため、わずかな不純物や格子欠陥などに極めて敏感である。それによって対象物質の本質的な振る舞いが隠されてしまうおそれがあるため、f電子系化合物においては純良単結晶育成は極めて重要である。われわれは3つの方法を使ってウラン化合物の単結晶育成を行った。1つはテトラマーク炉を用いた引き上げ法である。この方法によって、USi$$_{2}$$,UPt$$_{3}$$,UPd$$_{3}$$などといった単結晶が育成された。これらの物質は、パウリ常磁性、重い電子系超伝導四重極秩序など変化に富んだ物性を示す。次に自己フラックス法ではUBi$$_{2}$$,USb$$_{2}$$,UNiGa$$_{5}$$といった2次元的なフェルミ面を持つ物質が育成された。最後に、ケミカルトランスポート法においては、上記の2つの方法では育成困難なUAs$$_{2}$$,UP$$_{2}$$,U$$_{3}$$As$$_{4}$$,U$$_{3}$$P$$_{4}$$といった物質への単結晶を育成した。

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