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國分 祐司; 中田 陽; 瀬谷 夏美; 永岡 美佳; 小池 優子; 久保田 智大; 平尾 萌; 吉井 秀樹*; 大谷 和義*; 檜山 佳典*; et al.
JAEA-Review 2023-052, 118 Pages, 2024/03
JAEA-Review-2023-052.pdf:3.67MB
本報告書は、原子力規制関係法令を受けた「再処理施設保安規定」、「核燃料物質使用施設保安規定」、「放射線障害予防規程」、「放射線保安規則」及び茨城県等との「原子力施設周辺の安全確保及び環境保全に関する協定書」、「水質汚濁防止法」並びに「茨城県条例」に基づき、令和4年4月1日から令和5年3月31日までの期間に日本原子力研究開発機構核燃料サイクル工学研究所から環境へ放出した放射性排水の放出管理結果をとりまとめたものである。再処理施設、プルトニウム燃料開発施設をはじめとする各施設からの放射性液体廃棄物は、濃度及び放出量ともに保安規定及び協定書等に定められた基準値を十分に下回った。
中田 陽; 金井 克太; 國分 祐司; 永岡 美佳; 小池 優子; 山田 椋平*; 久保田 智大; 平尾 萌; 吉井 秀樹*; 大谷 和義*; et al.
JAEA-Review 2022-079, 116 Pages, 2023/03
JAEA-Review-2022-079.pdf:2.77MB
本報告書は、原子力規制関係法令を受けた「再処理施設保安規定」、「核燃料物質使用施設保安規定」、「放射線障害予防規程」、「放射線保安規則」及び茨城県等との「原子力施設周辺の安全確保及び環境保全に関する協定書」、「水質汚濁防止法」並びに「茨城県条例」に基づき、令和3年4月1日から令和4年3月31日までの期間に日本原子力研究開発機構核燃料サイクル工学研究所から環境へ放出した放射性排水の放出管理結果をとりまとめたものである。再処理施設、プルトニウム燃料開発施設をはじめとする各施設からの放射性液体廃棄物は、濃度及び放出量ともに保安規定及び協定書等に定められた基準値を十分に下回った。
高橋 芳浩*; 大木 隆弘*; 長澤 賢治*; 中嶋 康人*; 川鍋 龍*; 大西 一功*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 三島 健太; 河野 勝康*; et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 260(1), p.309 - 313, 2007/07
被引用回数：4 パーセンタイル：35.63(Instruments & Instrumentation)Si基板上にAlゲートp-MOSFETを作製し、TIARAの重イオンマイクロビームシステムを使用して重イオン照射を行い、照射誘起過渡電流の測定を行った。その結果、ゲート端子における過渡電流は、照射中負のゲート電圧を印加した状態でのみ観測されることがわかった。また、ソース・ドレイン電極を接地(基板と同電位)してゲート領域に重イオンを照射した場合、ピーク値の異なる正・負の電流が観測され、その積分値は照射後100ns程度でほぼ0となることがわかった。本誘起電流が伝導電流によるものであれば、正方向の電流のみが観測されることが予想される。よって本測定結果より、酸化膜を介した照射誘起電流は、変位電流に由来すると帰結できる。また測定結果は、酸化膜を完全絶縁体と仮定した計算により再現できることが確認できた。
m fully depleted CMOS/SOI digital logic devices槇原 亜紀子*; 浅井 弘彰*; 土屋 義久*; 天野 幸男*; 緑川 正彦*; 新藤 浩之*; 久保山 智司*; 小野田 忍; 平尾 敏雄; 中嶋 康人*; et al.
Proceedings of 7th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-7), p.95 - 98, 2006/10
RHBD(Radiation Hardness by Design)技術を用いてSEU(Single Event Upset)/SET(Single Event Transient)対策ロジックセルを、沖電気の完全空乏型0.15m CMOS/SOI民生プロセスを用いて設計し、製造したサンプルデバイスの放射線評価を実施した。SETフリーインバータと呼ばれるSET対策付きインバータ構造を有するロジックセルは、非常に優れたSET耐性を示すが、面積・動作スピード・消費電力のペナルティも大きいため、本研究では、最低限の耐性を維持しつつペナルティを低減するための設計の最適化をMixedモードのTCAD(Technology Computer Aided Design)シミュレータを用いて行った。その結果、LET(Linear Energy Transfar)が64MeV/(mg/cm
)までは、本研究により最適化されたロジックセルが宇宙用として有用であることを示した。
高橋 芳浩*; 芝田 利彦*; 村瀬 祐児*; 大西 一功*; 平尾 敏雄; 神谷 富裕
Proceedings of the 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6), p.111 - 114, 2004/10
MOSデバイスに重イオンが入射した時に誘起する電流について探求した。酸化膜厚50
200nmのMOSキャパシタに18MeV酸素イオンまたは150MeVアルゴンイオンを照射し、発生する過渡電流をTIBICシステムにて測定した。MOSキャパシタで誘起する過渡電流について計算機シミュレーションを行った。その結果、MOSキャパシタに重イオンが入射した時に生じる過渡電流は、イオントラック領域から移動した電荷によってゲート直下の表面電位が変化し、これに伴い発生する変位電流が要因であることが判明した。
阿部 哲男*; 大西 一功*; 高橋 芳浩*; 平尾 敏雄
Proceedings of the 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6), p.157 - 160, 2004/10
シングルイベントアップセット(SEU)耐性をレーザ試験により簡便に評価することは、進展が早く多種である民生デバイスの耐性評価にとって有用である。本報告では、メモリ素子であるSRAMに対する重イオン照射試験を実施し、照射粒子数が比較的少ない条件でSEU反転断面積を求める方法を検討するとともに、その試験結果とレーザ試験との相関を得た。
n diodes due to heavy ion irradiation平尾 敏雄; Laird, J. S.; 小野田 忍; 芝田 利彦*; 若狭 剛史; 山川 猛; 阿部 浩之; 高橋 芳浩*; 大西 一功*; 伊藤 久義
Proceedings of the 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6), p.105 - 109, 2004/10
SOI半導体素子のシングルイベント耐性を検証するため、SOIの代わりに構造の単純なMOSキャパシタを用い、シングルイベント過渡電流波形の測定を実施した。得られた過渡電流波形を積分して求めた収集電荷量とシュミレーションを用いて計算した収集電荷量の比較から、過渡電流が変位電流に起因することを突き止めた。
塩谷 洋樹; 大滝 明; 小野 清; 平尾 和則; 加藤 篤志; 安松 直人*; 久保田 貞衣*
JNC TN9400 2004-052, 514 Pages, 2004/09
JNC-TN9400-2004-052.pdf:8.85MB
本報告書は、フェーズⅡの中間とりまとめ(平成13年度から15年度の3ヶ年を対象)における、FBRサイクル候補概念の多面的評価、導入シナリオ評価、投資対効果評価に関する手法の開発およびその評価結果について報告するものである。
平尾 和則
原子力システムニュース, 15(3), 0 Pages, 2004/00
電気事業分科会、長計改定審議、シカゴ大報告書等、最近の国内外における原子力発電経済性評価事例の概要について述べた後、同評価手法のポイント並びに今後の動向について記した。また、参考情報として、実用化戦略調査研究の経済性評価並びに筆者が参加している第4世代原子力システム経済性評価モデル作成WGの活動概要について簡単に紹介した。
小野 清; 久保田 貞衣*; 辺田 正則*; 塩谷 洋樹; 平尾 和則
JNC TN9400 2003-061, 135 Pages, 2003/07
JNC-TN9400-2003-061.pdf:6.97MB
本報告書は、平成13年度から14年度にかけて実施したFBRサイクルの導入シナリオ評価に関する成果について報告するものである。サイクル諸量の観点からのFBR導入シナリオの議論においては、従来からの資源有効利用、エネルギー・セキュリティの視点に加えて、環境負荷低減の視点の重要性も年々増している。このため本研究では、国内を対象に、従来の天然ウラン累積需要量などに加えて、使用済燃料貯蔵量、マイナーアクチニド(MA)貯蔵量、廃棄物発生量等のサイクル諸量についてワンススルー、プルサーマルおよび高速増殖炉サイクルの比較を行い、短期的視点からプルサーマルの必要性を検討するとともに、長期的視点からFBRの必要性を検討した。この結果、短期的な視点(今後2030年間)から見ると、プルサーマルの導入はFBR導入以前における使用済燃料貯蔵量の削減や天然ウラン累積需要量削減の効果があることが分かった。一方、長期的な視点(今後100200年間)から見ると、FBR導入は、ウラン資源有効利用やエネルギー・セキュリティ向上の効果のみならず、高レベル廃棄物(使用済燃料、ガラス固化体)発生量の低減、MA蓄積量の低減など環境負荷低減の観点からも大きな効果があることが明らかになった。
小野 清; 塩谷 洋樹; 平尾 和則
Proceedings of International Conference on Advanced Nuclear Energy and Fuel Cycle Systems (GLOBAL 2003) (CD-ROM), 0 Pages, 2003/00
FBRサイクル実用化戦略調査研究(FS)フェーズIIの中で、FBRサイクルの望ましい実用化像を検討している。本研究では、日本および世界を対象に長期的視点から、ワンススルー、プルサーマルおよび高速増殖炉サイクルの比較を行い、FBRサイクル導入の必要性を検討した。日本および世界において、資源有効利用および環境負荷低減の両方の観点から、FBRサイクル導入の必要性を確認することができた。
平尾 和則
エネルギーレビュー, 22(8), p.14 - 17, 2002/07
当Grで進めているFBRによる水素製造シナリオの検討に関連して、原子力による水素生産プラントの各種構想について、エネルギー界を中心に広く紹介する。具体的には、(1)水素生産プラントの分類、(2)高温ガス炉による水素製造プラント、(3)高速炉による水素製造プラント、(4)軽水炉等による水素製造プラントについて紹介する。
平尾 和則
原子力eye, 48(4), p.66 - 67, 2002/00
当Gr業務の概要を、研究開発自体の評価と題して、原子力界を中心に広く紹介する。具体的には、1)「FBR投資対効果評価システム」によるFBR研究開発投資の経済的視点からの妥当性確認 2)燃料電池自動車向け水素製造をFBRで行う「水素製造FBR導入シナリオ」の提言 3)FBRサイクル実用化戦略調査研究の候補概念評価に用いている「多面的評価手法」の開発について述べる。
篠田 佳彦; 大滝 明; 小藤 博英; 小野 清; 平尾 和則
サイクル機構技報, (12), p.105 - 115, 2001/09
FBRサイクル実用化戦略調査研究フェ-ズI(平成11年13年3月)において実施した各種サイクルシステム概念の特性評価作業報告の一部について報告する。まず、経済性、資源有効利用性、安全性、環境負荷低減性、核拡散抵抗性技術的実現性の6つの視点から総合的に評価するための「多面的評価手法」の開発について述べる。また、長期的な物質収支解析について、さらには、最近、燃料電池用に着目されている「水素製造にFBRを利用するシナリオ」についての検討について述べる。
篠田 佳彦; 塩谷 洋樹; 平尾 和則
International Congress on Advanced Power Plants (ICAPP), 0 Pages, 2001/00
FBRサイクル実用化戦略調査研究の一環として、FBRサイクルの特性を多面的な視点から定量的に分析、評価する手法を開発し、種々のFBRサイクルシステム候補概念に適用した。(日本原子力学会 2001年秋の大会 口答発表予稿集及びサイクル技報9月号と同一内容)
小野 清; 平尾 和則; 池上 哲雄
Progress in Nuclear Energy, 37(1-4), p.125 - 130, 2000/00
被引用回数：0 パーセンタイル：0.01(Nuclear Science & Technology)A scenario study for fast breeder reactor (FBR) has been carried out. Five major scenarios have been induced from viewpoints of economics, energy security, reduction of radioactive waste burden, utilization of small-size FBR, and restriction of natural uranium resource. In this paper "World natural uranium restriction scenario" has been analyzed in detail. The results indicate that FBR should be introduced by the middle of the 21st century at the latest in the world.
小野 清; 平尾 和則; 池上 哲雄
「地球環境と原子力エネルギーシステム」に関する第3回国際シンポジウム, p.37 - 38, 1999/12
None
古平 清; 平尾 和則; 谷山 洋; 松野 義明
PNC TG033 82-01(2), 7 Pages, 1982/02
None
府金 賢; 高橋 芳浩*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 中嶋 康人*; 大西 一功*
no journal, ,
半導体デバイスに高速荷電粒子が入射する際に半導体内で誘起されるキャリアが原因となりシングルイベント現象が発生する。酸化膜を介した重イオン照射誘起電流の発生機構は未だ不明な点が多く、その解明が重要である。本研究では、シリコン(Si)MOSFETに対して重イオン照射試験を実施し、酸化膜を介した電流発生機構の検討を行った。試料はAlゲートp-, n-シリコン(Si)MOSFETを用い、TIARAの重イオンマイクロビームラインにてエネルギー15MeVの酸素イオン照射を実施した。照射誘起電流測定の結果より、MOSFETにおける照射誘起電流は正・負の異なるピークを持つこと、さらに収集電荷量が照射後数十nsでほぼ0に収束することが観測され、酸化膜を介した照射誘起電流は、変位電流が支配的であることを確認した。またp-, n-MOSFETにおいて電流ピーク幅の差異が確認された。これは、照射に伴いゲート直下に蓄積するキャリアがp-, n-MOSFETではそれぞれ正孔,電子であり、これらキャリアの移動度の違いに起因するためと考えられる。
線照射前後のMOSキャパシタに誘起する過渡電流小野田 忍; 府金 賢; 平尾 敏雄; 大島 武; 高橋 芳浩*; 今川 良*; 大西 一功*
no journal, ,
本研究では、線によるトータルドーズ効果によって電気特性が劣化したMOS(Metal Oxide Semiconductor)キャパシタに対して、1個の重イオンを照射し、その際に発生するシングルイベント過渡電流を調べた。試料は、p型バルクシリコン上に作製したAlゲートMOSキャパシタ(酸化膜厚:100nm,電極直径:100m)である。試料に対して、吸収線量が6.6kGy(SiO
)になるまで線を照射した。線照射前後のV
(フラットバンド電圧)の変動に着目すると、そのシフト量はおよそ-16.3Vであることがわかった。線照射前の試料において発生する過渡電流は、印加電圧が高くなるに従い大きくなることがわかった。一方、電圧を印加しない線照射後の試料で発生する過渡電流は、電圧を印加しない線照射前の試料で発生する過渡電流と比較して4倍も大きくなる一方、15Vを印加した線照射前の試料で発生する過渡電流と同等の大きさになることが明らかになった。このことから、酸化膜中の固定正電荷が空乏層の電界強度を強め、その結果、重イオンが誘起する過渡電流が大きくなったと考えられる。
