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八巻 徹也*; Nuryanthi, N.*; 喜多村 茜; 越川 博*; 澤田 真一*; Voss, K.-O.*; Severin, D.*; Tautmann, C.*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 435, p.162 - 168, 2018/11
被引用回数:8 パーセンタイル:62.99(Instruments & Instrumentation)フッ素系高分子膜(PVDF及びETFE)に直径数十から数百nmのイオントラックを作製し、化学エッチング処理によってイオン穿孔を、またグラフト重合によってイオン交換膜を作製する技術をそれぞれ開発した。PVDF膜におけるイオン穿孔膜に関しては、穿孔径がLETに依存することがわかり、高い精度で形状制御が可能であることを示した。また、グラフト重合によるETFEのイオン交換膜は燃料電池の電解質膜に適することを示した。このように我々が開発した技術は、水質管理や石油精製などのろ過技術、及び燃料電池の分野に貢献する。
Nuryanthi, N.*; 八巻 徹也; 喜多村 茜; 越川 博; 吉村 公男; 澤田 真一; 長谷川 伸; 浅野 雅春; 前川 康成; 鈴木 晶大*; et al.
Transactions of the Materials Research Society of Japan, 40(4), p.359 - 362, 2015/12
ナノ構造制御したアニオン交換膜を作製するため、エチレン-テトラフルオロエチレン共重合体(ETFE)膜に塩化ビニルベンジルモノマーのイオン飛跡グラフト重合を行った。低フルエンスの照射の下でグラフト率をできる限り高めるため、グラフト重合における反応媒質の影響を検討した。反応媒質として純水(HO)とイソプロピルアルコール(PrOH)の混合液を用いた場合、560MeV Xeビームによるグラフト率は、HO/PrOH比の増大とともに高くなり、HOのみのとき最大となった。この結果は、いわゆるゲル効果に類似した現象を考えれば理解できる。すなわち、グラフト鎖は貧溶媒の存在下で反応媒質に不溶となって凝集し、他の鎖との再結合(言い換えれば停止反応)が抑制されることに起因すると考えられる。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.*; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 箱田 照幸; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Severin, D.*; Seidl, T.*; et al.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 314, p.77 - 81, 2013/11
被引用回数:3 パーセンタイル:26.71(Instruments & Instrumentation)本研究では、より速く効率的にポリフッ化ビニリデン(PVDF)イオン穿孔膜を作製することを目指し、ドイツ重イオン研究所(GSI)における"その場"かつ"オンライン"分析によって、潜在飛跡内に存在する化学種の構造や反応性を調べた。その結果、照射と同時に生成したラジカルを介して、PVDF鎖中及び切断末端の不飽和結合が主に生成することがわかった。このような飛跡内の生成物にのみ作用しエッチングを加速するための改質過程、いわゆる前処理の方法を検討した。
Nuryanthi, N.*; 八巻 徹也; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 長谷川 伸; 前川 康成; 勝村 庸介*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 314, p.95 - 98, 2013/11
被引用回数:3 パーセンタイル:26.71(Instruments & Instrumentation)フッ素系高分子の一種であるポリフッ化ビニリデン(PVDF)からなるイオン穿孔膜の形成挙動に関する研究において、コンダクトメトリー時の測定セルへの印加電圧が及ぼす影響を検討した。孔貫通に至るまでの化学エッチングは、セル電圧を高く維持することによって大きく加速されるという興味深い現象を見いだした。この現象については、穿孔内におけるエッチング溶出物の電気泳動効果に起因していると考えられる。
Nuryanthi, N.*; 八巻 徹也; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 長谷川 伸; 前川 康成; 勝村 庸介*
Transactions of the Materials Research Society of Japan, 38(1), p.105 - 108, 2013/03
450MeV Xeイオンを照射したポリフッ化ビニリデン膜(25m厚)に対し、エッチング剤に80Cの9mol dm水酸化カリウム水溶液を用いて、コンダクトメトリー分析を行った。分析時に1.0Vの交流電圧を印加したとき、孔径16820nmのイオン穿孔膜が得られた。それに対し、電圧を全く印加しない通常の化学エッチングではその3分の2程度の孔径であった。コンダクトメトリー分析における電圧印加によって、孔径制御の自由度が高くなることが期待される。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.*; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 長谷川 伸; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Trautmann, C.*; Neumann, R.*
Transactions of the Materials Research Society of Japan, 37(2), p.223 - 226, 2012/06
化学的,熱的に安定なフッ素系高分子、特にポリフッ化ビニリデンからなるイオン穿孔膜に着目し、そのエッチング挙動や応用性に関する研究を進めている。今回は、コンダクトメトリーによって穿孔形成過程を解析し、照射イオン種や測定セルへの印加電圧が及ぼす影響を調べたので報告する。孔貫通に至るまでの化学エッチングは、高いLETを有する重イオンビームを照射するとともに、セル電圧を高く維持することによって大きく加速されるという興味深い現象を見いだした。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.*; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 長谷川 伸; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Trautmann, C.*; Neumann, R.*
ECS Transactions, 35(24), p.1 - 12, 2011/05
被引用回数:7 パーセンタイル:94.05(Electrochemistry)従来から検討がなされてきたポリエチレンテレフタレートやポリカーボネートなどの炭化水素系高分子ではなく、フッ素系高分子からなるイオン穿孔膜に着目し、そのエッチング挙動や応用性に関する研究を進めている。今回は、コンダクトメトリーによって穿孔形成過程を解析し、照射イオン種や測定セルへの印加電圧が及ぼす影響を調べたので報告する。孔貫通に至るまでの化学エッチングは、高いLETを有する重イオンビームを照射するとともに、セル電圧を高く維持することによって大きく加速されるという興味深い現象を見いだした。後者については、穿孔内におけるエッチング溶出物の電気泳動効果に起因していると考えられる。
Nuryanthi, N.*; 八巻 徹也; 越川 博; 浅野 雅春; 榎本 一之; 澤田 真一; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Trautmann, C.*; Neumann, R.*
電気化学および工業物理化学, 78(2), p.146 - 149, 2010/02
被引用回数:6 パーセンタイル:13.71(Electrochemistry)従来から検討がなされてきたポリエチレンテレフタレートやポリカーボネートなどの炭化水素系高分子ではなく、フッ素系高分子からなるイオン穿孔膜に着目し、そのエッチング挙動や応用性に関する研究を進めている。今回は、穿孔形成の重要なパラメータであるエネルギー付与の大きさを計算によりあらかじめ予測し、その変化を利用してポリフッ化ビニリデン(PVDF)イオン穿孔膜における孔のサイズ,形状(円柱,円錐状)の制御を試みたので報告する。走査型電子顕微鏡(SEM)観察と電気伝導度解析によるエッチング挙動の基礎的検討の中で、電気伝導度セルに高電圧を印加すると穿孔内のエッチングが加速されるという興味深い現象を見いだした。これは、穿孔内におけるエッチング溶出物の電気泳動効果に起因していると考えられる。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.; 越川 博; 澤田 真一; 長谷川 伸; 浅野 雅春; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Trautmann, C.*; Neumann, R.*
no journal, ,
従来から検討がなされてきたポリエチレンテレフタレートやポリカーボネートなどの炭化水素系高分子ではなく、フッ素系高分子からなるイオン穿孔膜に着目し、そのエッチング挙動や応用性に関する研究を進めている。今回は、穿孔形成の重要なパラメータであるエネルギー付与の大きさを計算によりあらかじめ予測し、その変化を利用してポリフッ化ビニリデン(PVDF)イオン穿孔膜における孔のサイズ,形状の制御を試みたので報告する。また、放射線分解生成物の挙動を並行して調べているので、その結果をもとにPVDF以外のフッ素系高分子(パーフルオロ体を含む)における穿孔形成の可能性についても言及したい。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.; 越川 博; 澤田 真一; 長谷川 伸; 浅野 雅春; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Trautmann, C.*; Neumann, R.*
no journal, ,
本研究では、イオンによるエネルギー付与の大きさを計算によりあらかじめ予測し、その変化を利用してポリフッ化ビニリデン(PVDF)イオン穿孔膜における孔のサイズ,形状の制御を試みた。厚さ25あるいは100mのPVDF膜に対し、2.2GeVAu, 450MeVXeイオンを照射した。80C, 9M KOH水溶液による48時間の化学エッチングで得られる穿孔は、線エネルギー付与(LET)の大小に大きく依存し、XeよりもAuの方が約1.6倍大きかった。TRIMコードによる計算結果によると、AuイオンによるLETは、深さ100mで約20MeV/mであるのに対し、それより深部ではビームエネルギーが失われるとともに減少し、深さ約130mでゼロとなる。このLETの急激な変化を利用するため、100m, 25m厚の順にPVDF膜を一枚ずつ重ねてAuイオンを照射し、2枚目(すなわち25m厚)の膜に対して化学エッチングを施した。こうして得られたイオン穿孔膜の表面,裏面における直径はそれぞれ23214nm, 11714nmとなったことから、LETの差により両面でサイズの違う円錐状の穿孔が作製できることが明らかになった。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.; 越川 博; 澤田 真一; 長谷川 伸; 浅野 雅春; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Trautmann, C.*; Neumann, R.*
no journal, ,
われわれは、従来から検討がなされてきたポリエチレンテレフタレートやポリカーボネートなどの炭化水素系高分子ではなく、フッ素系高分子からなるイオン穿孔膜に着目し、そのエッチング挙動や応用性に関する研究を進めている。今回は、穿孔形成の重要なパラメータであるエネルギー付与の大きさを計算によりあらかじめ予測し、その変化を利用してポリフッ化ビニリデン(PVDF)イオン穿孔膜における孔のサイズ,形状の制御を試みたので報告する。また、放射線分解生成物の挙動を並行して調べているので、その結果をもとにPVDF以外のフッ素系高分子(パーフルオロ体を含む)における穿孔形成の可能性についても言及したい。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.*; 越川 博; 澤田 真一; 長谷川 伸; 浅野 雅春; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Trautmann, C.*; Neumann, R.*
no journal, ,
フッ素系高分子からなるイオン穿孔膜の形成挙動に関する研究において、照射イオン種や測定セルへの印加電圧が及ぼす影響をコンダクトメトリーで解析したので報告する。孔貫通に至るまでの化学エッチングは、高いLETを有する重イオンビームを照射するとともに、セル電圧を高く維持することによって大きく加速されるという興味深い現象を見いだした。前者については、コア・ペナンブラ模型に基づく飛跡構造の理論的考察によって説明づけられる一方、後者は穿孔内におけるエッチング溶出物の電気泳動効果に起因していると考えられる。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.*; 越川 博; 澤田 真一; 箱田 照幸; 長谷川 伸; 浅野 雅春; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Trautmann, C.*
no journal, ,
本研究では、穏和なエッチング条件の下で、より効率的にポリフッ化ビニリデンイオン穿孔膜を作製することを目指し、イオンビーム照射条件が穿孔形成に及ぼす影響を調べた。その結果、化学エッチングが潜在飛跡のみに限定され、その周囲の未照射部(バルク領域)ではほとんど起こらないため、潜在飛跡の構造だけで孔径が決まるという興味深い事実を得た。つまり、他の多くのイオン穿孔膜とは異なり、エッチング条件による複雑な影響を受けることなく、"イオンビームの照射効果を直接利用"することで孔径と形状が制御可能であった。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.*; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Trautmann, C.*; Neumann, R.*
no journal, ,
従来から検討がなされてきたポリエチレンテレフタレートやポリカーボネートなどの炭化水素系高分子ではなく、フッ素系高分子、特にポリフッ化ビニリデン(PVDF)からなるイオン穿孔膜に着目し、そのエッチング挙動や応用性に関する研究を進めている。今回、PVDFの穿孔形成が、潜在飛跡の構造を決める重要なパラメータである線エネルギー付与(LET)に強く依存することを見いだした。また、この知見を利用して、LETの深さ変化によるイオン穿孔の形状制御にも成功した。
Nuryanthi, N.*; 八巻 徹也; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 長谷川 伸; 前川 康成; 勝村 庸介*
no journal, ,
今回は、コンダクトメトリーによって穿孔形成過程を解析し、測定セルへの印加電圧がエッチング挙動に及ぼす影響を調べたので報告する。孔貫通に至るまでの化学エッチングは、セル電圧を高く維持することによって大きく加速された。それに対して、最終的に得られる穿孔の孔径を走査型電子顕微鏡観察で調べたところ、電圧印加により増大したものの、セル電圧にそれほど依存せず若干の減少傾向が確認された。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.*; 越川 博; 澤田 真一; 箱田 照幸; 浅野 雅春; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Severin, D.*; Seidl, T.*; et al.
no journal, ,
本研究では、より穏和なエッチング条件の下で、潜在飛跡以外の未照射部へ化学的損傷が及ばない一方、より速く効率的にポリフッ化ビニリデン(PVDF)イオン穿孔膜を作製することを目的として、潜在飛跡内に存在する化学種の構造や反応性を調べた。その結果、照射と同時に生成したラジカルを介して、PVDF鎖中及び切断末端の不飽和結合がおもに生成することがわかった。また、このような飛跡内の生成物にのみ作用しエッチングを加速するための改質過程、いわゆる前処理の方法としてオゾン曝露の有効性を示した。
Nuryanthi, N.*; 八巻 徹也; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 長谷川 伸; 前川 康成; 勝村 庸介*
no journal, ,
フッ素系高分子の一種であるポリフッ化ビニリデン(PVDF)からなるイオン穿孔膜の形成挙動に関する研究において、コンダクトメトリー時の測定セルへの印加電圧が及ぼす影響を検討した。孔貫通に至るまでの化学エッチングは、セル電圧を高く維持することによって大きく加速されるという興味深い現象を見いだした。この現象については、穿孔内におけるエッチング溶出物の電気泳動効果に起因していると考えられる。また、コンダクトメトリーの結果から動径方向のエッチング速度(すなわち穿孔の成長速度)を計算することで、イオン潜在飛跡の構造と印加電圧との関連性があることを初めて見いだした。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.*; 越川 博; 澤田 真一; 浅野 雅春; 前川 康成; Voss, K.-O.*; Christina, T.*
no journal, ,
従来から検討がなされてきたポリエチレンテレフタレートやポリカーボネートなどの炭化水素系高分子ではなく、フッ素系高分子、特にポリフッ化ビニリデン(PVDF)からなるイオン穿孔膜に着目し、そのエッチング挙動や応用性に関する研究を進めている。本研究では、PVDFイオン穿孔膜において、照射イオンの線エネルギー付与(LET)とその深さ分布で決まる飛跡構造を利用することにより、孔径と形状の制御を試みた。穿孔膜の孔径は照射イオンのLETに敏感であるとの知見をもとに、貫通イオンの表面,裏面におけるLET差を利用して両面で孔径の異なった円錐状穿孔を有するイオン穿孔膜を作製した。
八巻 徹也; Nuryanthi, N.*; 越川 博; 澤田 真一; 浅野 雅春; 前川 康成; 勝村 庸介*
no journal, ,
フッ素系高分子の一種であるポリフッ化ビニリデン(PVDF)からなるイオン穿孔膜の形成挙動に関する研究において、コンダクトメトリー時の測定セルへの印加電圧が及ぼす影響を検討した。孔貫通に至るまでの化学エッチングだけでなく、貫通後の孔成長(孔径増大速度)についても、セル電圧を高く維持することによって大きく加速されるという現象を見いだした。これによって、潜在飛跡のエッチングが完了するのに要する時間が半分近くまで短縮することができた。
Nuryanthi, N.*; 八巻 徹也; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 長谷川 伸; 喜多村 茜; 前川 康成; 勝村 庸介*
no journal, ,
本研究では、ポリフッ化ビニリデン膜の穿孔形成過程をコンダクトメトリーによって解析し、測定セルへの印加電圧がエッチング挙動に及ぼす影響を調べた。孔貫通に至るまでの化学エッチングは、セル電圧を高く維持することによって大きく加速された。それに対して、最終的に得られる穿孔の孔径を走査型電子顕微鏡観察で調べたところ、電圧印加により増大したものの、セル電圧にそれほど依存せず若干の減少傾向が確認された。