Applied-voltage dependence on conductometric track etching of poly(vinylidene fluoride) films

ポリフッ化ビニリデンのコンダクトメトリー下トラックエッチングに対する印加電圧依存性

Nuryanthi, N.*; 八巻 徹也; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 長谷川 伸; 前川 康成; 勝村 庸介*

Nuryanthi, N.*; Yamaki, Tetsuya; Koshikawa, Hiroshi; Asano, Masaharu; Sawada, Shinichi; Hasegawa, Shin; Maekawa, Yasunari; Katsumura, Yosuke*

フッ素系高分子の一種であるポリフッ化ビニリデン(PVDF)からなるイオン穿孔膜の形成挙動に関する研究において、コンダクトメトリー時の測定セルへの印加電圧が及ぼす影響を検討した。孔貫通に至るまでの化学エッチングは、セル電圧を高く維持することによって大きく加速されるという興味深い現象を見いだした。この現象については、穿孔内におけるエッチング溶出物の電気泳動効果に起因していると考えられる。また、コンダクトメトリーの結果から動径方向のエッチング速度(すなわち穿孔の成長速度)を計算することで、イオン潜在飛跡の構造と印加電圧との関連性があることを初めて見いだした。

We prepared ion-track membranes of poly(vinylidene fluoride) by chemical etching in a conductometric cell and then investigated how the applied AC voltage affected etching characteristics using scanning electron microscopy. The high voltage application had some effect on the final pore diameter, which seems inconsistent with the findings of our previous conductometric analysis, while shortening the breakthrough time greatly.