Applied-voltage dependence on conductometric track etching of poly(vinylidene fluoride) films

ポリフッ化ビニリデンのコンダクトメトリー下トラックエッチングに対する印加電圧依存性

Nuryanthi, N.*; 八巻 徹也; 越川 博; 浅野 雅春; 澤田 真一; 長谷川 伸; 前川 康成; 勝村 庸介*

Nuryanthi, N.*; Yamaki, Tetsuya; Koshikawa, Hiroshi; Asano, Masaharu; Sawada, Shinichi; Hasegawa, Shin; Maekawa, Yasunari; Katsumura, Yosuke*

フッ素系高分子の一種であるポリフッ化ビニリデン(PVDF)からなるイオン穿孔膜の形成挙動に関する研究において、コンダクトメトリー時の測定セルへの印加電圧が及ぼす影響を検討した。孔貫通に至るまでの化学エッチングは、セル電圧を高く維持することによって大きく加速されるという興味深い現象を見いだした。この現象については、穿孔内におけるエッチング溶出物の電気泳動効果に起因していると考えられる。

Our efforts have been focused on ion-track etched membranes of poly(vinylidene fluoride) (PVDF). This study deals with the effect of the transmembrane potential applied during the conductometry in order to offer a higher degree of freedom to control the pore size. We can say that higher voltage application during the conductometry would accelerate the etching in the tracks. The electrophoretic migration of dissolved products occurring out of each pore might be one of the reasons for this enhanced pore evolution and growth.