JOPSS:検索結果一覧

論文

Chemical-pressure-induced point defects enable low thermal conductivity for Mg $_{2}$ Sn and Mg $_{2}$ Si single crystals

齋藤亘*; 林慶*; Huang, Z.*; 杉本和哉*; 大山研司*; 八方直久*; 原田正英; 及川健一; 稲村泰弘; 林好一*; et al.

ACS Applied Energy Materials (Internet), 4(5), p.5123 - 5131, 2021/05

被引用回数：12 パーセンタイル：64.95(Chemistry, Physical)

The development of thermoelectric (TE) materials, which can directly convert waste heat into electricity, is vital to reduce the use of fossil fuels. Mg $_{2}$ Sn and Mg $_{2}$ Si are promising TE materials because of their superior TE performance. In this study, for future improvement of the TE performance, point defect engineering was applied to the Mg $_{2}$ Sn and Mg $_{2}$ Si single crystals (SCs) via boron (B) doping. Their crystal structures were analyzed via white neutron holography and SC X-ray diffraction. Moreover, nanostructures and TE properties of the B-doped Mg $_{2}$ Sn and Mg $_{2}$ Si SCs were investigated. The B-doping increased the chemical pressure on the Mg $_{2}$ Sn and Mg $_{2}$ Si SCs, leading to induce vacancy defects as a point defect. No apparent change was observed in electronic transport, but thermal transport was significantly prevented. This study demonstrates that the vacancy defects can be controlled by the chemical pressure, and can aid in achieving a high TE performance for the Mg $_{2}$ Sn and Mg $_{2}$ Si SCs.

論文

Preparation, thermoelectric properties, and crystal structure of boron-doped Mg $_{2}$ Si single crystals

林慶*; 齋藤亘*; 杉本和哉*; 大山研司*; 林好一*; 八方直久*; 原田正英; 及川健一; 稲村泰弘; 宮崎譲*

AIP Advances (Internet), 10(3), p.035115_1 - 035115_7, 2020/03

https://doi.org/10.1063/1.5143839

被引用回数：16 パーセンタイル：73.04(Nanoscience & Nanotechnology)

Mg $_{2}$ Si is a potential thermoelectric (TE) material that can directly convert waste energy into electricity. In expectation of improving its TE performance by increasing electron carrier concentration, the element boron (B) is doped in Mg $_{2}$ Si single crystals (SCs). Their detailed crystal structures are definitely determined by using white neutron holography and single-crystal X-ray diffraction (SC-XRD) measurements. The white neutron holography measurement proves that the doped B atom successfully substitutes for the Mg site. The SC-XRD measurement confirms the B-doping site and also reveals the presence of the defect of Si vacancy (VSi) in the B-doped Mg $_{2}$ Si SCs. Regarding TE properties, the electrical conductivity, , and the Seebeck coefficient, S, decreases and increases, respectively, due to the decrease in the electron carrier concentration, contrary to the expectation. The power factor of the B-doped Mg $_{2}$ Si SCs evaluated from and S does not increase but rather decreases by the B-doping.

論文

Nuclear structure of $^{37,38}$ Si investigated by decay spectroscopy of $^{37,38}$ Al

Steiger, K.*; 西村俊二*; Li, Z.*; Gernhuser, R.*; 宇都野穣; Chen, R.*; Faestermann, T.*; Hinke, C.*; Krcken, R.*; 西村美月*; et al.

European Physical Journal A, 51(9), p.117_1 - 117_9, 2015/09

https://doi.org/10.1140/epja/i2015-15117-9

被引用回数：10 パーセンタイル：58.15(Physics, Nuclear)

中性子数20領域の中性子過剰核では、魔法数20が消滅することが知られ、殻構造の変化が起きていると考えられている。この論文では、この領域の殻構造をより直接的に調べるため、 $^{37,38}$ Si核の準位構造を $^{37,38}$ Al核のベータ崩壊によって調べた結果を報告する。 $^{37,38}$ Alを理化学研究所RIBFを用いて生成し、そこからのベータ崩壊後の線を観測することによって、 $^{37,38}$ Si核の低励起状態の準位構造を得た。 $^{37}$ Siの717keVと1270keVに強く遷移することから、これらの準位は正パリティ状態と同定された。実験で得られた準位構造は殻模型計算によってよく再現され、717keVと1270keVはそれぞれ, に対応することがわかった。この結果は、最近の殻模型相互作用が与える殻構造変化を確かめるものである。

論文

Evidence of electronic polarization of the As ion in the superconducting phase of F-doped LaFeAsO

Kim, J.*; 藤原明比古*; 澤田智弘*; Kim, Y.*; 杉本邦久*; 加藤健一*; 田中宏志*; 石角元志*; 社本真一; 高田昌樹*

IUCrJ, 1(3), p.155 - 159, 2014/05

https://doi.org/10.1107/S2052252514005636

被引用回数：2 パーセンタイル：21.49(Chemistry, Multidisciplinary)

放射光X線粉末回折データをもとに、電子密度解析を行い、低温でLaFeAsO $_{1-x}$ F $_{x}$ の超伝導相の鉄層にのみ電子が集まっていることが見つかった。静電ポテンシャル分布解析の結果、ヒ素イオンの電子分極が協調的に増強され、電荷の再配列が起こっていた。

論文

ITERだより,34

森山節子; 上野健一; 杉本誠

プラズマ・核融合学会誌, 88(7), p.389 - 390, 2012/07

http://www.jspf.or.jp/Journal/PDF_JSPF/jspf2012_07/jspf2012_07-389.pdf

第10回ITER理事会がワシントンDCにて2012年6月20-21日に開催された。ITER理事会はイーターサイトにおける建設工事の進捗を確認し、イーター機構に対しスケジュールと予算の維持の必要性を改めて確認した。ITER実機トロイダル磁場(TF)コイル及び構造物の入札説明会を那珂核融合研究所にて開催した。ITER計画の展示とITER機構職員募集説明会を実施した。

論文

ITERだより,33

上野健一; 杉本誠; 森山節子

プラズマ・核融合学会誌, 88(5), p.291 - 292, 2012/05

http://www.jspf.or.jp/Journal/PDF_JSPF/jspf2012_05/jspf2012_05-291.pdf

原子力機構は、日本が調達責任を有する計測装置のうちの一つである「ITERマイクロ・フィッション・チェンバー」の調達取決めを締結した。本調達取決めの締結により、実機の詳細設計が開始される。原子力機構は、ITERにおいてプラズマ周辺部の電子温度及び電子密度を測定する「周辺トムソン散乱計測装置」に用いる、従来の2倍の平均出力を持つ世界最高性能のプラズマ計測用YAGレーザー装置の開発に成功した。これによりITERでの電子温度・電子密度の高精度測定が可能となる見通しを得た。原子力機構は、調達を担当するITER向けTFコイルの制作にあたり、中国及び韓国にて製造された超伝導導体の提供を受ける計画である。今回、中国で制作されTFコイルの試作に用いる銅素線を用いた長さ660mのダミー導体が輸送された。ITERプロジェクトにおける調達取決めに基づいて行われる初めての国際間輸送である。

論文

ITERだより,32

上野健一; 森山節子; 杉本誠

プラズマ・核融合学会誌, 88(3), p.199 - 200, 2012/03

http://www.jspf.or.jp/Journal/PDF_JSPF/jspf2012_03/jspf2012_03-199.pdf

日本が調達責任を有する「ITERブランケット遠隔保守装置」,「中性粒子ビーム加熱装置(NB)用高電圧ブッシング」,「NB用高電圧部電源」の調達を開始するため、このたび、原子力機構はITER機構との間で3件の調達取り決めを締結した。2012年2月23日には、29団体から45名の参加者を迎えて、東京日本橋において第19回ITER企業説明会が開催された。今回締結された3件の調達取り決めを含む国内機関での調達状況について原子力機構より説明を行い、活発な意見交換が行われた。

論文

Distribution of products in polymer materials induced by ion-beam irradiation

杉本雅樹; 工藤久明; 貴家恒男; 瀬口忠男; 浜義昌*; 浜中健一*; 松本英哉*

JAERI-Conf 97-003, p.269 - 272, 1997/03

高分子材料にイオン照射し、その生成物の分布を顕微FT-IRにより測定して照射効果を調べた。H $^{+}$ , D $^{+}$ , He $^{2+}$ の照射では、化学反応により生成する2重結合の分布は、TRIMコードより計算した線量分布と一致するが、O, Ne, Ar, Krなどの重イオンでは、TRIMコードによる線量分布と異なりより長い飛程を示すことが明らかになった。

口頭

Various RF methods for non-scaling FFAGs

岡本宏巳*; 金田健一*; 杉本寛*; Ruggiero, A.*; Sessler, A. M.*; 百合庸介

no journal, ,

We study three different rf schemes in NS-FFAGs: (1) Harmonic jumping, (2) Harmonic jumping with frequency modulation and (3) Fixed frequency with phase control. We also use a circuit model of an rf cavity to study the effect of rapid variation of cavity drive frequency as well as cavity resonant frequency. It is shown that if the drive frequency is changed, according to the schemes above, the cavity must have a rather low Q (of the order of 50). On the other hand, if the cavity resonant frequency can be altered, in concert with the drive frequency change, then the cavity can be made with an arbitrarily high Q. In the third poster we describe the hardware necessary to construct an rf cavities having a low Q. In the fourth poster we describe the hardware necessary to construct an rf cavities having a high Q.

発表形式

掲載資料名

発表会議名

筆頭著者名

キーワード

使用言語

発行年

開催年