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田中 伸幸; 澤田 真一*; 杉本 千紘; 八巻 徹也*
QST-M-33; QST Takasaki Annual Report 2020, P. 37, 2022/03
熱化学水素製造法ISプロセスでは、HI-I
-HO(HIx)溶液のHI濃縮のため、カチオン交換膜を用いた電解電気透析法(EED)が適用されている。本報では、HI濃縮性能の改善を目的として、イオン飛跡グラフト法により作成したカチオン交換膜を導入することに対する適応性について検討を行った。イオン飛跡グラフト法は、基材高分子にイオンビーム照射を行うことで、1次元円柱状のイオンチャネルを生成することができ、HI濃縮の性能向上に効果があると期待される膜の膨潤を抑制する構造を付与することができる。本法で試作したカチオン交換膜を用いて、HI濃縮試験を試み、HI溶液のHI濃度が増加することを実験的に確認した。これにより、イオン飛跡グラフト法で作成したカチオン交換膜により、従来の膜と同様に、HI濃縮を進行させることが可能であることを示した。
Kim, J.*; 藤原 明比古*; 澤田 智弘*; Kim, Y.*; 杉本 邦久*; 加藤 健一*; 田中 宏志*; 石角 元志*; 社本 真一; 高田 昌樹*
IUCrJ, 1(3), p.155 - 159, 2014/05
被引用回数：2 パーセンタイル：21.44(Chemistry, Multidisciplinary)放射光X線粉末回折データをもとに、電子密度解析を行い、低温でLaFeAsO
F
の超伝導相の鉄層にのみ電子が集まっていることが見つかった。静電ポテンシャル分布解析の結果、ヒ素イオンの電子分極が協調的に増強され、電荷の再配列が起こっていた。
森岡 千晴*; 今泉 充*; 杉本 広紀*; 佐藤 真一郎; 大島 武; 田島 道夫*
Proceedings of 17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17) (CD-ROM), p.504 - 505, 2007/12
実宇宙の超高効率太陽電池開発の一環として、(Al)InGaP太陽電池の放射線耐性について調べた。ベース層の厚さは1
mで統一し、アルミの組成比及びベース層におけるキャリア濃度を変化させたセルを作製し、3MeV陽子線を1
10
cm
まで照射した。その結果、短絡電流及び開放電圧の保存率は、組成がAl
In
Ga
PのセルとInGaPのセルの間で有意な差がみられなかったことから、AlInGaPセルについてはベース層キャリア濃度に勾配をつけた構造は放射線耐性に有効ではないことがわかった。
Al conductor for toroidal field coils小泉 徳潔; 安藤 俊就*; 中嶋 秀夫; 松井 邦浩; 杉本 誠; 高橋 良和; 奥野 清; 木津 要; 三浦 友史; 土屋 勝彦; et al.
Proceedings of 20th IEEE/NPSS Symposium on Fusion Engineering (SOFE 2003), p.419 - 422, 2003/10
13T以下の磁場で運転されるTFコイル用導体として、NbSn導体が開発された。しかし、NbSnは歪に弱く、磁場が高くなると性能低下が大きい。このため、13Tを超える磁場での使用は困難である。他方、NbAlは歪に強く、潜在的にはNbSnより高い臨界電流値を有するため、次世代の超電導導体として考えられている。そこで、原研では80年代より、NbAl導体の開発を行ってきた。第一段階では、素線の大量生産技術を開発した。第二段階で、大型コイルの開発を行い、定格点の134T-46kAまでの励磁に成功した。これらの成果から、JT-60SCのTFコイル導体として、NbAl導体の開発も進めている。D型のコイルを製作し、成功裏に試験することができた。以上の結果は、16T級TFコイルNbAl導体の開発に多大な貢献をし、本開発は着実に進んでいる。
安藤 俊就*; 石田 真一; 加藤 崇; 菊池 満; 木津 要; 松川 誠; 三浦 友史; 中嶋 秀夫; 逆井 章; 杉本 誠; et al.
IEEE Transactions on Applied Superconductivity, 12(1), p.500 - 503, 2002/03
被引用回数：11 パーセンタイル：52.56(Engineering, Electrical & Electronic)トカマク型核融合装置JT-60の超伝導計画の超伝導コイル・システムの設計について紹介する。この超伝導コイル・システムはトロイダル磁場(TF)コイル,中心ソレノイド(CS),平衡制御磁場(EF)コイルからなる。TFコイルは、高さが5.8m,幅が3.9mのユニット・コイルの18個からなる。その巻線部での最大磁場は7.4T,そのときの磁気蓄積エネルギーは、これまで製作された超伝導コイルより1.7倍大きい世界最大の1.6GJである。本コイルには、原研で開発され、大きな電磁力が加えられても超伝導性能への影響の少ないニオブ・アルミ超伝導導体が使用される。CSは4個,EFコイルは6個からなり、最大磁場が7.4TであるCSとEF4ではニオブ・スズ導体が、最大磁場が5Tである他のEFコイルはニオブ・チタン導体が採用される。
坂川 嘉信; 島居 真一; 太田 守人; 稲野辺 和秀*; 塩谷 功; 磯崎 典男; 杉本 智行*
PNC TN8410 98-080, 177 Pages, 1997/12
屋外貯蔵ピットは昭和42
45年間の間に建設され、昭和42年8月以来約30年間不燃性固体廃棄物の保管廃棄施設として、原子燃料公社時代におけるウラン精錬所で発生した廃棄物を保管してきた。この貯蔵ピットは従来より内部の点検,ピット内の結露水や雨水による滞留水の除去等の管理,ピット上面,外壁の防水工事等を行ってきたところであるが、貯蔵ピットの管理状況の実態が社会的に厳しく問われ、ピット内に収められている廃棄物を取り出し、新しい容器に詰め替えるための作業用建屋を屋外貯蔵ピット上部に建設する工事を実施した。建屋は貯蔵ピットに合わせて、東西方向58m,南北12m25mの鉄骨造の平屋で延床面積約1300㎡である。平面的には作業エリアの他に、更衣室、エアロック室等を設けている。建屋完了後、内部にグリーンハウスを設置し、ピットの天井部を開口してコンテナ等をピット内で解体し、ホイストにより順次廃棄物を取り出し、詰め替え作業、搬出作業が行なわれる。本報告書は、屋外貯蔵ピット内廃棄物取出工事、作業用建屋建設工事について、その結果を報告するものである。
森岡 千晴*; 杉本 広紀*; 佐藤 真一郎; 今泉 充*; 大島 武; 田島 道夫*; 岐部 公一*
no journal, ,
高い変換効率と耐放射線性を有する三接合太陽電池(InGaP/GaAs/Ge)は宇宙用太陽電池の主流となりつつあるが、本研究ではこの三接合太陽電池のさらなる性能向上を目指し、InGaPトップ層へのAl添加について検討した。InGaPにAlを加えると、バンドギャップの増大に伴う出力電圧や耐放射線性の向上などが期待される。GaAs基板上にAlInGaPをMOCVDにより積層して、1cm1cmの太陽電池を作製し、1MeV電子線及び3MeV陽子線を照射することによってその耐放射線性を調べた。また、未照射のAlInGaP結晶の光学的評価を室温フォトルミネッセンス測定により行ったところ、1.9eVと2.0eV付近に発光ピークが確認された。これらはAlInGaPとInGaPのバンドギャップに相当していることから、結晶成長中に層内で相分離が起きていると考えられるため、今後の課題といえる。
鈴木 嘉章; 杉本 真一*; 杉山 智之; 更田 豊志
no journal, ,
燃料に関連する安全審査指針類の体系的整理を目的として、指針類に含まれる要求事項を独立したモジュールとして抽出した。次に、モジュール化した要求事項を「基本的要求」,「具体的要求」及び「手引・技術規定」の3階層に再配置することで、個々の要求事項の関係を明確にした。本報告では、調査方法,再配置におけるルール等を説明する。
杉本 和謙*; 岡田 浩*; 若原 昭浩*; 佐藤 真一郎; 大島 武
no journal, ,
サファイア基板上に製膜したAlGaN/GaNを用いてプレーナ型のEu添加光導波路を作製し、発光特性と光増幅について検討した。Euイオン注入では加速エネルギーを70から350keV、注入量を
から
cmの範囲に設定した。その結果、
cm以上の注入量ではフォトルミネセンス強度が飽和し、また、Euイオン注入エネルギーが70keVのときに発光強度が最も大きくなることがわかった。今回作製した光増幅器は、励起光源が不要なEu添加III族窒化物半導体を発光素子に持つ光電子融合デバイスへ応用できる可能性がある。
越川 博; 山本 春也; 杉本 雅樹; 喜多村 茜; 澤田 真一; 八巻 徹也
no journal, ,
数百MeVに加速した重イオンを高分子膜に照射し、アルカリ溶液で化学エッチングすると、直径が数十nm以上でさまざまな形状の穿孔を作製できる。本研究では、円すい状に制御した穿孔をテンプレートとして用い、蒸着法と電気メッキ法を組み合わせた新しい手法による金属ナノニードル作製を検討した。330MeVに加速した
Arイオン(フルエンス: 3.010
ions/cm
)を25m厚のポリイミド(PI)膜に照射した後、60
Cの次亜塩素酸ナトリウム(NaClO)溶液で30分エッチングすることにより表面直径500nmの円すい状穿孔を得た。その後、穿孔の内壁に金薄膜をスパッタ蒸着し、これを電極としてpH1に調整した1M硫酸銅水溶液を電解液として銅メッキを施した。NaClO溶液でPIテンプレートを溶解、除去し、走査型電子顕微鏡(SEM)により表面を観察したところ、銅基板上に直径500nm、高さ1.2mの銅ナノニードルを作製することができた。
田中 伸幸; 澤田 真一*; 杉本 千紘; 八巻 徹也*
no journal, ,
熱化学水素製造法ISプロセスでは、HI-I-HO(HIx)溶液のHI濃縮のため、カチオン交換膜を用いた電解電気透析法(EED)が適用されている。本報では、HI濃縮性能の改善を目的として、イオン飛跡グラフト法により作成したカチオン交換膜を導入することに対する適応性について検討を行った。イオン飛跡グラフト法は、基材高分子にイオンビーム照射を行うことで、1次元円柱状のイオンチャネルを生成することができ、HI濃縮の性能向上に効果があると期待される膜の膨潤を抑制する構造を付与することができる。本法で試作したカチオン交換膜を用いて、HI濃縮試験を試み、HIの濃縮が進行することを実験的に確認した。発表では、これに加えて、HI濃縮の性能指標(セル電圧,H
輸率)に基づいたイオン飛跡グラフト法の適応性評価を行った結果を示す。
田中 伸幸; 澤田 真一*; 杉本 千紘; 八巻 徹也*
no journal, ,
熱化学水素製造法ISプロセスでは、HI-I-HO(HIx)溶液のHI濃縮のため、カチオン交換膜を用いた電解電気透析法(EED)が適用されている。本報では、HI濃縮性能の向上を目的として、イオン飛跡グラフト法により作成したカチオン交換膜の適応性について検討を行った。イオン飛跡グラフト法は、基材高分子にイオンビーム照射を行うことで、1次元円柱状のイオンチャネルを生成することができ、HI濃縮の性能向上に効果があると期待される膜の膨潤を抑制する構造を付与することができる。本法で試作したカチオン交換膜を用いて、HI濃縮試験を試み、HIの濃縮が進行することを実験的に確認した。発表では、これに加えて、HI濃縮の性能指標(セル電圧,H輸率)に基づいたイオン飛跡グラフト法の適応性評価を行った結果を示す。
