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西島 俊二*; Hearne, S. M.*; Jamieson, D. N.*; 大島 武; Lee, K. K.; 伊藤 久義
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 210, p.196 - 200, 2003/09
被引用回数：1 パーセンタイル：12.48(Instruments & Instrumentation)イオンビーム誘起電流(IBIC)を行いて炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオードの結晶損傷を調べた。n型またはp型六方晶SiCエピタキシャル単結晶上にアルミニウム、ニッケル及び金電極を蒸着することで30
電極径のSiCショットキーダイオードを作製し、1m径の2MeVヘリウムイオンマイクロビームを10m
10mエリアに10
から10
/cm
の範囲で照射することで損傷を調べた。その結果、2MeVヘリウムイオンの照射量の増加とともにIBICが徐々に減少することが見出され、結晶損傷により発生した再結合中心により電荷収集量が減少することがわかった。
西島 俊二*; 大島 武; Lee, K. K.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 190(1-4), p.329 - 334, 2002/05
被引用回数：11 パーセンタイル：58.04(Instruments & Instrumentation)2MeV-H
イオンを用いたイオンビーム誘起電流(IBIC)測定によりシリコン(Si)pnダイオード及び炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオードの照射欠陥を評価した。照射量の増加とともIBICパルス強度が減少し、Si pnダイオードでは9.2E12/cmのHイオン照射後、パルス強度は未照射の85%まで減少する結果が得られた。また、SiCショットキーダイオードでは6.5E12/cm照射後に未照射に比べ50%までIBICパルス強度が減少した。IBICパルス強度の減少は照射により発生した結晶損傷に起因すると考えられ、IBIC測定が半導体素子の照射損傷を評価するのに利用できることが示された。
Lee, K. K.; 西島 俊二*; 大島 武; Jamieson, D. N.*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 181(1-4), p.324 - 328, 2001/07
被引用回数：5 パーセンタイル：38.96(Instruments & Instrumentation)6H-SiC上に作製した酸化膜(SiO
)に発生する固定電荷及びSiC/SiO界面の準位をイオンビーム誘起電流(IBIC), エレクトロネッセンス(EL), キャパシタンス測定(C-V)により調べた。C-V測定より、SiC/SiO界面に多量の正に帯電したトラップが存在することが分かった。このトラップは酸化膜中にもともと存在する欠陥及びIBIC測定のためのへリウムイオン照射により生成した欠陥と考えられる。ELより1.36, 1.6, 2.3及び2.9eVの発光線が観測された。このうち1.36と2.3eVの発光線はSiC中に生成された欠陥に起因し、SiC素子の耐放射線性に影響を及ぼすと考えられる。ヘリウムイオン照射によるSiC上の酸化膜破壊も観測された。
平尾 敏雄; 神谷 富裕; 須田 保; 梨山 勇; 内藤 一郎*; 松田 純夫*; 塩野 登*; 穴山 汎*; 西島 俊二*
第4回TIARA研究発表会要旨集, p.58 - 59, 1995/06
宇宙用の半導体集積回路の実用化では、重イオン照射によって引き起こされるシングルイベント現象の対策が重要な問題となっている。このシングルイベント過渡電流波形の直接的な観察を目的とした実験を重イオンマイクロビームと半導体デバイス微小領域照射試験装置を用いて行った。実験では、炭素15MeVとヘリウム3および6MeVを使用したビームサイズが1ミクロンのイオンをSiPn接合ダイオードに照射した時に発生した過渡電流波形を高周波帯域で整備した測定系で求めた。本報告では、シングルイベント波形特性のドリフト、ファネリング、拡散の3つの収集成分の分離とイオン種の収集波形に及ぼす影響等について有益な結果が得られたこと等について発表を行う。
平尾 敏雄; 梨山 勇; 神谷 富裕; 西島 俊二*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 104, p.508 - 514, 1995/00
被引用回数：29 パーセンタイル：91.59(Instruments & Instrumentation)人工衛星搭載電子デバイス等宇宙環境で使用される半導体素子には、銀河宇宙線等の高エネルギー重イオンの入射により「ソフトエラー」や「ハードエラー」などのシングルイベント現象が引き起こされる。シングルイベント現象の機構を解明するために、重イオンマイクロビームを利用し、入射時に発生する過渡電流波形から収集電荷量を求めている。本報告では、重イオンマイクロビームを入射した時の放射線損傷について、実験値とキンチンピースモデル及びトリム計算から比較検討した結果、理論的に損傷を説明できる方法が得られたので、それについて述べることとした。
梨山 勇; 平尾 敏雄; 神谷 富裕; 湯藤 秀典*; 西島 俊二*; 関口 弘喜*
IEEE Transactions on Nuclear Science, 40(6), p.1935 - 1940, 1993/12
被引用回数：75 パーセンタイル：97.87(Engineering, Electrical & Electronic)重イオンマイクロビームを用いて、半導体素子のシングルイベント効果に関する基礎研究を行った。シリコンPN接合に6MeVHe,15MeVC,O,Si,Feイオンを照射し、接合に誘起される極めて速い過渡電流の波形を測定することができた。これから、接合における収集電荷量を評価し、理論値と比較した結果、明瞭なファネリング効果が生じていることが判明した。また、発生過渡電流のピーク巾は高LETイオンほど増大し、電子-正孔対の拡散による寄与も無視できない事がわかった。この実験で得られたデータを詳細なシミュレーションモデルを用いた計算結果と比較し、モデルの妥当性を検討した。
