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論文

Isolation and characterization of the fragrant cyclamen ${it O}$-methyltransferase involved in flower coloration

秋田 祐介; 北村 智; 長谷 純宏; 鳴海 一成; 石坂 宏*; 近藤 恵美子*; 亀有 直子*; 中山 真義*; 谷川 奈津*; 森田 裕将*; et al.

Planta, 234(6), p.1127 - 1136, 2011/12

https://doi.org/10.1007/s00425-011-1466-0
 被引用回数：44 パーセンタイル：75.78(Plant Sciences)

Anthocyanin ${it O}$-methyltransferase (OMT) is one of the key enzymes for anthocyanin modification and flower pigmentation. We previously bred a novel red-purple-flowered fragrant cyclamen (KMrp) from the purple-flowered fragrant cyclamen "Kaori-no-mai" (KM) by ion-beam irradiation. Since the major anthocyanins in KMrp and KM petals were delphinidin 3,5-diglucoside and malvidin 3,5-diglucoside, respectively, inactivation of a methylation step in the anthocyanin biosynthetic pathway was indicated in KMrp. We isolated and compared ${it OMT}$ genes expressed in KM and KMrp petals. RT-PCR analysis revealed that ${it CkmOMT2}$ was expressed in the petals of KM but not in KMrp. Three additional ${it CkmOMT}$s with identical sequences were expressed in petals of both KM and KMrp. Genomic PCR analysis revealed that ${it CkmOMT2}$ was not amplified from the KMrp genome, indicating that ion-beam irradiation caused a loss of the entire ${it CkmOMT2}$ region in KMrp. In vitro enzyme assay demonstrated that CkmOMT2 catalyzes the 3' or 3',5' ${it O}$-methylation of the B-ring of anthocyanin substrates. These results suggest that CkmOMT2 is functional for anthocyanin methylation, and defective expression of ${it CkmOMT2}$ is responsible for changes in anthocyanin composition and flower coloration in KMrp.

論文

Real-time [$$^{11}$$C]methionine translocation in barley in relation to mugineic acid phytosiderophore biosynthesis

Bughio, N.*; 中西 啓仁*; 清宮 正一郎*; 松橋 信平; 石岡 典子; 渡辺 智; 内田 博*; 辻 淳憲*; 長 明彦; 久米 民和; et al.

Planta, 213(5), p.708 - 715, 2001/09

https://doi.org/10.1007/s004250100552
 被引用回数：17 パーセンタイル：37.16(Plant Sciences)

オオムギが土壌中の鉄を獲得するために分泌するムギネ酸の前駆体であるメチオニンが、植物体のどこに起源をもつかを明らかにするために、リアルタイムでの[$$^{11}$$C]メチオニン転流をポジトロンイメージング法を中心とした計測により行なった。外部から供給した[$$^{11}$$C]メチオニンが鉄欠乏オオムギの根に保持され、ムギネ酸生合成に使われたこと、地上部から根へのメチオニンの移行が見られなかったことなどから、ムギネ酸の前駆体であるメチオニンは植物体の根に起源をもつと結論した。

論文

Implantation mode dependence of damage structure depth profiles in Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ irradiated with triple beam of H, He and heavy ions

片野 吉男*; 有賀 武夫; 山本 春也; 中沢 哲也; 八巻 大樹

Proceedings of 2000 International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2000), p.805 - 808, 2000/00

核融合炉において電気絶縁体材料等として使用されるアルミナ($$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$)の照射損傷を調べる目的で、H,HeイオンとNまたはOイオンをトリプルビームで同時照射し、損傷組織を深さ方向に透過電子顕微鏡で観察した。表面から1.4~1.5$$mu$$mの深さに停止イオンが分布するように、0.25MeVのHイオンと0.6MeVのHeイオンと、さらにこれらの深さを通過しながらはじき出し損傷を与える目的で、4.7MeVのNイオンをトリプルで照射(923K)した試料では、平均~3nmのキャピティが、1.45と1.55$$mu$$mの深さに帯状に観察された。同量のH,HeをOイオンとともに約1/2のdpa/sで注入した試料ではキャビティーの成長が抑えられた。H,Heのキャビティーの形成に及ぼす損傷速度の効果を定量的に把握するとともに、水素原子の動きに及ぼすHe原子の役割を示した。

論文

Study of ion-induced damage in Li$$_{2}$$TiO$$_{3}$$ ceramics

中沢 哲也; Grismanovs, V.*; 八巻 大樹; 片野 吉男*; 有賀 武夫; 岩本 昭

Proceedings of 2000 International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2000), p.753 - 756, 2000/00

本論文は高エネルギーイオンに曝されたリチウムタイタネイトセラミックス(Li$$_{2}$$TiO$$_{3}$$)の照射効果に関する研究を扱っている。Li$$_{2}$$TiO$$_{3}$$セラミックスは核融合炉の固体増殖材料の候補材料である。Li$$_{2}$$TiO$$_{3}$$における照射欠陥や微細構造の損傷に関する研究はその材料の照射下における性能を評価するのに非常に重要なものである。Li$$_{2}$$TiO$$_{3}$$セラミックスに対してさまざまな温度(343-873K)でトリプルイオン照射(0.25MeV H$$^{+}$$,0.6MeV He$$^{+}$$,2.4MeV O$$^{2+}$$)を行った。それぞれのイオンは1.0$$times$$10$$^{21}$$ion/m$$^{2}$$まで照射した。照射したイオンのエネルギーはともに約2.3$$mu$$m付近にピークを持つように決めた。さらに、Li$$_{2}$$TiO$$_{3}$$は高エネルギー酸素イオン(30-120MeV)で2.0$$times$$10$$^{20}$$ion/m$$^{2}$$まで照射した。ラマン分光装置、FT-IR分光装置、走査電子顕微鏡(SEM)とX線解析装置を用いて照射したサンプルを調べた。照射試料の回復挙動を調べるためArガス雰囲気中さまざまな温度で照射サンプルをアニールした。トリプルイオン照射したLi$$_{2}$$TiO$$_{3}$$表面にTiO$$_{2}$$のアナターゼ層が形成されたことがラマン分光分析とX線回折分析で明らかになった。603Kと873Kで照射した試料のラマンスペクトルはアナターゼTiO$$_{2}$$のスペクトルとほとんど一致した。しかしながら、343Kで照射した試料のラマンスペクトルはLi$$_{2}$$TiO$$_{3}$$のラマンスペクトルとアナターゼTiO$$_{2}$$のラマンスペクトルを重ね合わせたものである。このことから、照射温度が高いほどアナターゼ層の形成が効果的であることがわかる。この傾向はX線回折パターンからも同様に言える。照射した試料の熱処理は照射によって導入された構造欠陥の熱による回復が約1050Kで始まることを示した。したがって、トリプル照射によって導入された構造欠陥は熱に強いことがわかった。

論文

Effect of implanted-Helium depth profile on damage structures in electron-irradiated stainless steel

有賀 武夫; 片野 吉男*

Proceedings of 2000 International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2000), p.797 - 800, 2000/00

標準の316ステンレス鋼に雰囲気温度で3.0MeVのHeイオンを9$$times$$10$$^{19}$$/m$$^{2}$$まで照射し、深さ方向の損傷組織が観察できる透過電子顕微鏡用試験片を造り、1MeVの電子線を32dpaまで照射し、Heが分布する深さの範囲の組織変化をその場観察した。Heを照射したままの試料で観察された欠陥集合体の深さ方向の数密度分布は、集合体がHe原子の分布に依存して形成されたことを示し、823Kで32dpaまで電子線照射しても、キャビティの形成は認められなかった。すなわち、~0.1at.%の高濃度で予注入されたHe原子は、照射で造られた空格子点と複合体を形成し、これらの高密度で形成された複合体が照射で造られた点欠陥の消滅場所となり、キャビティの形成を抑えたことを示している。

論文

Formation of vanadium oxide by ion implantation and heat treatment

鳴海 一雅; 山本 春也; 宮下 敦巳; 青木 康*; 楢本 洋

1998 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings, Vol.2, p.990 - 993, 1999/00

バナジウムは複数の配位数をとるため多くの酸化物が存在するが、その中でも数種類のものについては、温度によってその結晶構造が変化し、それに伴って、電気的・光学的特性が大きく変化することが知られている。本研究では、化学的に不活性なサファイア中での酸化バナジウム相の生成を目的として、サファイア基板にバナジウム及び酸素を注入、還元雰囲気中で熱処理を行い、基板及び注入元素の挙動の観察及び生成物の同定を行った。その結果、熱処理に対する基板及び注入元素の挙動は、基板の面方位、注入時の基板温度、バナジウムに対する酸素の注入量に依存することがわかった。また、サファイアのc-面については、バナジウムに対する酸素の注入量に依存して、生成する酸化物相が異なることを明らかにした。

論文

RBS/channeling, XRD and optical characterization of deep ion implantation into single crystalline SiO$$_{2}$$

Dai, Z.*; 山本 春也; 楢本 洋; 鳴海 一雅; 宮下 敦巳

1998 International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings, Vol.2, p.1159 - 1162, 1998/06

https://doi.org/10.1109/IIT.1998.813889

3MeVのAuをイオン注入したSiO$$_{2}$$(0001)について、イオンチャネリング法、X線回折法及び光吸収測定法について総合的に調べた。その結果、注入したAuは長距離拡散しないで基板の結晶方位と整合した微粒子を形成することを明らかにした。また、1000$$^{circ}$$Cで熱処理すると、Auのプラズモンによる吸収が顕著になり、その径は光吸収測定の結果から、4.2nmと算出された。

論文

Structure and properties of single crystal Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ implanted with Cr and Zr

C.J.McHargue*; 楢本 洋; B.R.Appleton*; C.W.White*; J.M.Williams*

Metastable Materials Formation by Ion Implantation,Vol.1, p.147 - 153, 1982/00

イオン打込による非平衡新材料物質作成の基礎的研究の一環として、熱処理による打込イオンの深さ分布変化及びその結晶学的位置、イオン打込時に誘起された格子欠陥の回復等の現象を調べた。表面近傍に局在化したこれらの現象を観察するため、高速He$$^{+}$$イオンのラザフォード後方散乱及びチャネリング現象を利用したイオンビーム解析を行なった。更に、これらの熱回復過程に対応する物理量として、Hardnessの変化を測定・比較した。得られた結果は以下の通りである。(1)母体結晶の構成元素であるAlとOxy原子とでは、格子欠陥の回復温度が異なる。(2)打込イオンのうちCr原子は熱処理により母体結晶構造に取り込まれるが、Zr原子では一切その傾向はみられない。(3)Hardnessに対する寄与は、Zr原子を打込んだ場合の方が大きい。

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