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椎名 陽子*; 高谷 一成*; 植田 寛和; 平山 孝人*; 中野 祐司*
Journal of Physics; Conference Series, 1412, P. 122021_1, 2020/06
被引用回数：0 パーセンタイル：0.16(Optics)A new development aiming experimental studies of isomer-selected gas-phase reactions and photoexcitation processes is being conducted. The experiment is based on isomer separation by an ion mobility spectrometry and ion accumulation in a temperature-variable radiofrequency ion trap. The laser plasma light source at Rikkyo University is currently under an upgrade for providing ultraviolet light at the wavelength region from 90 to 200 nm. We report on the details of the experimental setup and current status of the development.
-ray irradiation大山 英典*; 平尾 敏雄; Simoen, E.*; Claeys, C.*; 小野田 忍; 高見 保清*; 伊藤 久義
Physica B; Condensed Matter, 308-310, p.1185 - 1188, 2001/12
被引用回数：8 パーセンタイル：44.94(Physics, Condensed Matter)InGaAsP系レーザダイオードにおいて高温線照射により発生する格子欠陥とその素子特性に及ぼす影響を明らかにするために、レーザダイオード試料にCo-60線源を用いて線照射を実施した。線の照射量は最高100Mradとし、照射中の試料温度は20,100,200
とした。照射前後にダイオードの電流・電圧(I-V)特性,容量・電圧(C-V)特性を室温にて測定した結果、照射後の順方向,逆方向電流及び光出力は照射温度の増加に伴い増加すること、また、これとは反対にしきい値電流は減少することがわかった。
and electron irradiation大山 英典*; 平尾 敏雄; Simoen, E.*; Claeys, C.*; 小野田 忍*; 高見 保清*; 伊藤 久義
Physica B; Condensed Matter, 308-310, p.1226 - 1229, 2001/12
被引用回数：31 パーセンタイル：79.69(Physics, Condensed Matter)シリコン(Si)のPIN型フォトダイオードの高温線照射による劣化を評価した。試験試料はSiフォトダイオードで、抵抗率が2~4K
であり、厚さ0.3mmのカバーガラス窓をもつTO-18パッケージに収められている。線照射にはCo-60線源を使用し、照射量は最大1
107rad(Si),照射中の試料温度は20,100,200とした。照射前後のデバイス特性とDLTS測定を行い、照射による特性劣化と導入欠陥との相互関係について検討した。照射後のDLTS測定の結果、n形シリコン基板に導入された2種類の電子捕獲準位(Ec-0.22eV)及び(Ec-0.40eV)と1種類の正孔捕獲準位(EV+0.37eV)が検出された。一方、デバイス特性については、線照射により暗電流は減少し、光電流は増加する傾向が得られた。これらの特性変化をDLTS測定で得られた欠陥準位に関連付けて議論する。
Li(n,d)
He and Li(n,t)
He at 14.1 MeV白土 しょう二*; 渋谷 真二*; 秦 和博*; 安藤 嘉章*; 柴田 恵一
JAERI-M 89-107, 27 Pages, 1989/08
リチウム同位体に関する14MeV中性子誘起核反応断面積の測定結果についてまとめた。測定には2個のガス比例計数管とシリコン検出器から成るカウンターテレスコープを用いた。
Li(n,d)n
Heと
Li(n,t)nHeからの重陽子、三重陽子のスペクトルは終状態相互作用理論により解析された。これらの反応及びLi(n,t)He、Li(n,d)He反応の角度分布は有限レンジDWBAで解析され、分光学的因子が求められた。
的場 史朗; 城丸 春夫*; 小泉 哲夫*; 高橋 果林*; 守屋 宗祐*; 石川 学*
no journal, ,
マイクロチャンネルプレート(MCP)は、鉛ガラスに電子増倍作用がある直径10
m程度の細孔を2次元的に配列した板状の検出器であり、荷電粒子,短波長の光子,高速中性粒子等に対して感度を持つ。MCPでは粒子が細孔に入射しないと検出されないので、検出効率の上限はMCP表面全体と細孔開口部との比である開口率によって制限される。われわれは開口率を上げれば検出効率を増加させることができると考え、入射部にテーパー加工を施して90%まで開口率を向上させたMCP(T-MCP)の開発を行った。このT-MCPと市販されているMCP(開口率62%)を用いて、0.5-13.5keVの入射エネルギーの範囲でXeイオン及びNeイオンの検出効率を測定した。市販のMCPの検出効率は、低いエネルギー領域ではエネルギーの増加に伴い上昇し、Neイオンでは3keV以上、Xeイオンでは4keV以上の入射エネルギーでそれぞれ一定値(65%)を示した。一方、T-MCPの場合、同様な測定でNeイオンでは4keV以上、Xeイオンでは6keV以上の入射エネルギーでそれぞれ一定値(89%)を示した。入射エネルギーが高い領域でのT-MCPの最大検出効率はテーパー部も含んだ物理的な開口率に迫り、イオン検出においてテーパー加工が有効であることが確かめられた。
的場 史朗; 鳴海 一雅; 齋藤 勇一; 千葉 敦也; 山田 圭介; 神谷 富裕; 小泉 哲夫*; 高橋 果林*; 石川 学*; 守屋 宗祐*; et al.
no journal, ,
マイクロチャンネルプレート(MCP)は、電子増倍作用がある直径10m程度の細孔を鉛ガラスに2次元的に配列した板状の検出器である。細孔に入射した粒子が検出されるので、検出効率はMCPの表面積に対する全細孔の開口面積の比である開口率によって制限され、開口率が60%前後の従来のMCPの最大検出効率は60%程度である。そこで、開口率を上げれば検出効率が増加すると考え、入射部にテーパー加工を施して開口率を90%にしたMCPを開発し、0.5-13.5keVのXeイオン及びNeイオンに対する検出効率を測定した。検出効率は低いエネルギー領域ではエネルギーの増加に伴い上昇した。これは二次電子放出率がエネルギーとともに上昇するためだと考えられる。一方、Neイオンでは4keV以上、Xeイオンでは6keV以上のエネルギーで検出効率はいずれも一定値89%を示し、テーパー部も含んだ開口率に迫った。以上の結果から、テーパー加工を施して開口率を向上させることがイオン検出の高効率化に有効であることが確かめられた。
石川 学*; 小泉 哲夫*; 高橋 果林*; 城丸 春夫*; 的場 史朗
no journal, ,
電子増倍作用がある直径10m程度の細孔を鉛ガラスに2次元的に配列した板状の検出器であるマイクロチャンネルプレート(MCP)の検出効率の最大値は、表面積に対する全細孔の開口面積の比である開口率にほぼ等しいことが知られている。このことから、細孔に入射した粒子のみが検出されると考えられている。そこで、検出効率を向上させる目的で、入射部にテーパー加工を施して開口率を増大させたMCPを開発し、これまでに開口率90%で最大検出効率90%を得た。今回は、開口率が約100%のMCPを試作し、従来型MCPの検出効率と比較するために多くの測定例があるHeイオンに対する検出効率を測定した。その結果、従来型MCP(開口率約60%)の最大検出効率は60%であり、開口率約100%のMCPの最大検出効率は91%であった。100%近い開口率ではMCP表面において平坦部がなくなるのでテーパー縁部での電位勾配が従来型MCPと異なると考えられ、開口部の形状によって検出効率が変化する可能性があることがわかった。
的場 史朗; 石川 学*; 高橋 果林*; 小泉 哲夫*; 城丸 春夫*
no journal, ,
マイクロチャンネルプレート(MCP)の最大検出効率は、表面積に対する全細孔の開口面積比(開口率)とほぼ等しいことが知られている。市販の一般的なMCPでは開口率は50%-60%である。我々は、検出効率を向上させる目的で、入射部にテーパー加工を施して開口率を約100%に増大させたMCPを開発した。このMCPについて、過去に多くの測定例があるHeイオンに対する検出効率を測定した。その結果、最大検出効率は91%であった。開口率100%のMCPでは、テーパー縁部での電場分布が従来型MCPと異なり、テーパー縁部で生成した二次電子がチャンネル部に入射する確率が少なくなるので、検出効率が開口率より低下すると考えられる。
的場 史朗; 鳴海 一雅; 齋藤 勇一; 山田 圭介; 千葉 敦也; 小泉 哲夫*; 高橋 果林*; 石川 学*; 城丸 春夫*; 加藤 遼也*; et al.
no journal, ,
マイクロチャンネルプレート(MCP)の最大検出効率は、検出器の全表面積に対する粒子検出部である多数の細孔の全開口面積の比(開口率)とほぼ等しいことが知られている。市販の一般的なMCPでは、機械的強度の制約により開口率は50%-60%で、検出効率も同程度である。本研究では、検出効率を最大限に向上させる目的で、円筒状細孔の粒子入射側にテーパー加工を施して開口部を大きくすることで開口率を約100%に増大させたMCPを開発した。このMCPについて、Ar
(
=1, 2, 3)のビームに対する検出効率を、0.5keVから1.08MeVの範囲で測定した。検出効率は、低いエネルギー領域ではエネルギーの増加に伴い上昇した。これは二次電子放出率がエネルギーとともに上昇するためだと考えられる。一方、50keV以上での検出効率は100%であり、イオン検出の高効率化のために開口部を大きくする方法として、テーパー加工が有効であることが確かめられた。
