吉川 正人; 根本 規生*; 伊藤 久義; 奥村 元*; 三沢 俊司*; 吉田 貞史*; 梨山 勇
Yoshikawa, Masahito; Nemoto, N.*; Ito, Hisayoshi; Okumura, Hajime*; not registered; Yoshida, Sadafumi*; Nashiyama, Isamu
3C-SiC MOS構造に
Co
線を照射したときに発生する界面準位量と固定電荷量の熱アニールによる減少挙動を高周波C-V法を用いて調べた。400
Cまでの等時アニールを行うと、界面準位量及び固定電荷量は減少した。界面準位の減少量については、3C-SiC/SiO
界面のエネルギー準位に依存して変化することがわかった。これらの減少挙動を化学反応速度式からみちびいた等時アニール式を用いて解析した所、界面準位量の減少は3種類の、固定電荷量は2種類の異なった活性化エネルギーの組合わせによって説明できることがわかった。Si MOS構造の照射によって発生する界面準位や固定電荷の熱アニールでは、このような複数の活性化エネルギーが認められないため、3C-SiC MOS構造の熱アニール挙動は、Si MOS構造のそれとは大きく異なっていると考えられる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 47 |
号 |
: | 3 |
ページ数 |
: | p.218 - 223 |
発行年月 |
: | 1997/00 |
キーワード |
: | Thermal Annealing; Isochronal Annealing; MOS; 3C-SiC; SiC; Gamma-rays; C-V; Interface Trap; Oxide-trapped Charges |
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パーセンタイル：12.05 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
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