伊藤 久義; 上殿 明良*; 大島 武; 青木 康; 吉川 正人; 梨山 勇; 谷川 庄一郎*; 奥村 元*; 吉田 貞史*
Ito, Hisayoshi; Uedono, Akira*; Oshima, Takeshi; Aoki, Yasushi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; Tanigawa, Shoichiro*; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*
立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)半導体に200keVの加速エネルギーで窒素(N
)及びアルミニウムイオン(Al
)を注入温度範囲:室温~1200
C、注入範囲:10
~10
/cm
でイオン注入し、生成される欠陥を単色陽電子ビームを用いた陽電子消滅測定法を用いて調べた。消滅
線エネルギースペクトルのドップラー広がりを解析した結果、高温注入により3C-SiC中に空孔クラスターが形成されることが明らかになった。空孔クラスターのサイズは注入量及び注入温度を上昇させると増大することを見いだした。高温注入による空孔のクラスター化については、注入時の空孔の結合反応によって説明できる。注入試料を1400Cでアニールしたところ、低注入(10/cm)試料は形成された空孔型欠陥は除去できるが、高注入(10/cm)では空孔クラスターが残存することがわかった。陽電子拡散長の解析より、アニールにより陽電子散乱中心が形成されることがわかった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 65 |
号 |
: | 3 |
ページ数 |
: | p.315 - 323 |
発行年月 |
: | 1997/00 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：63.3 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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