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Characterization of residual defects in cubic silicon carbide subjected to hot-implantation and subsequent annealing

高温注入及びアニールを行った立方晶シリコンカーバイド中の残留欠陥の評価

伊藤 久義; 大島 武; 青木 康; 安部 功二*; 吉川 正人; 梨山 勇; 奥村 元*; 吉田 貞史*; 上殿 明良*; 谷川 庄一郎*

Ito, Hisayoshi; Oshima, Takeshi; Aoki, Yasushi; Abe, Koji*; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*; Uedono, Akira*; Tanigawa, Shoichiro*

室温から1200$$^{circ}$$Cの広い温度範囲での窒素(N$$_{2+}$$)及びアルミニウム(Al$$^{+}$$)のイオン注入により立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)半導体に導入される欠陥を電子スピン共鳴(ESR)、光励起発光分析(PL)、陽電子消滅(PAS)法を用いて評価した。高温注入は常磁性欠陥を減少させ注入層の結晶性を改善すると同時に、空孔クラスターの形成を誘起することが明らかになった。これらの結果は高温注入時における点欠陥の移動と結合反応によって説明することができる。さらに高温注入による欠陥の形成と消失挙動は注入温度、注入量、注入イオン種に依存することが見い出された。また、高温注入により3C-SiCに導入された欠陥のアニール挙動をESR,PL,PASを用いて調べるとともに、ホール測定、二次イオン質量分析により注入不純物のアニールによる電気的活性化や深さ方向濃度分布変化についての知見を得た。

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パーセンタイル:58.41

分野:Physics, Applied

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