Annealing properties of defects in ion-implanted 3C-SiC studied using monoenergetic positron beams

単エネルギー陽電子を用いたイオン注入された3C-SiC中の欠陥の熱アニールに関する研究

上殿 明良*; 伊藤 久義; 大島 武; 鈴木 良一*; 大平 俊平*; 谷川 庄一郎*; 青木 康; 吉川 正人; 梨山 勇; 三角 智久*; 奥村 元*; 吉田 貞史*

Uedono, Akira*; Ito, Hisayoshi; Oshima, Takeshi; Suzuki, Ryoichi*; not registered; Tanigawa, Shoichiro*; Aoki, Yasushi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; Mikado, Tomohisa*; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*

立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)へチッ素(200keV)及びアルミニウム(200keV)のイオン注入を行い、発生する欠陥を単エネルギー陽電子を用いて調べた。また、注入された3C-SiCを熱アニールすることで、欠陥がどのように振舞うかも調べた。その結果、室温注入後はおもにシリコン単一空孔と炭素空孔が結合した、ダイバーカンシーが発生することがわかった。また、それらの空孔欠陥はその後の熱処理でサイズが大きくなり、1000C付近のアニールでは空孔クラスターを形成すること、またさらに高温でアニールするとクラスターは分解し始めることがわかった。これらの振舞いは、これまで調べた炭素空孔、シリコン空孔の熱アニールの振舞いで説明できた。また、ダメージ層の回復は結晶の深部より始まり、アニール温度の上昇とともに表面の方へ向かってくることも明らかになった。

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