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Influence of $$gamma$$-ray irradiation on 6H-SiC MOSFETs

6H-SiC MOSFETへの$$gamma$$線照射効果

大島 武; 吉川 正人; 伊藤 久義; 梨山 勇; 岡田 漱平

Oshima, Takeshi; Yoshikawa, Masahito; Ito, Hisayoshi; Nashiyama, Isamu; Okada, Sohei

6H-SiC基板上へエンハンスメント型のn-チャンネルMOSFETを作製し、そのMOSFETの$$gamma$$線照射効果を調べた。MOSFETは、そのゲート酸化膜をドライ酸素による酸化と水素燃焼酸化により作製し、効果の違いを調べた。その結果、酸化膜中の固定電荷、界面準位ともに、以前報告されているSiのMOSFETに比べ発生量が少ないことが分かった。酸化方法の違いによる効果は、固定電荷については、いずれの酸化方法でもほとんど違いは見られなかったが、界面準位に関しては、水素燃焼酸化を用いた方が、ドライ酸化よりも発生量が少なく、耐放射線性に優れていることが明らかになった。

no abstracts in English

発表言語

 :

English

掲載資料名

 :

Proceedings of 3rd International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.22 - 27

発行年月

 :

1998/00

発表会議名

 :

3rd International Workshop on Radiation Effects of Semiconductor Devices for Space Application

開催年月

 :

1998/10

開催都市

 :

Takasaki

開催国

 :

Japan

キーワード

 :

6H-SiC MOSFET; $$gamma$$線照射; 界面準位; 固定電荷

特許データ

 :

PDF

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