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Effects of gamma-ray irradiation on cubic silicon carbide metal-oxide-semiconductor structure

3C-SiC MOS構造の$$gamma$$線照射効果

吉川 正人; 伊藤 久義; 森田 洋右; 梨山 勇*; 三沢 俊司*; 奥村 元*; 吉田 貞史*

Yoshikawa, Masahito; Ito, Hisayoshi; Morita, Yosuke; Nashiyama, Isamu*; not registered; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*

3C-SiC MOS構造の照射効果を高周波C-V特性を用いて研究した。その結果、3C-SiC/SiO$$_{2}$$界面に界面準位が発生し、酸化膜中に固定電荷が蓄積した。これらの量は照射中にMOS構造のゲートに印加されるバイアスの極性に依存し、無バイアス及び正バイアスでは、吸収線量の2/3乗に比例して増加した。この関係はSiMOS構造の実験結果とよく一致するが、その発生量及び蓄積量はSiMOS構造のそれらと比べてはるかに少なかった。

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分野:Physics, Applied

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