伊藤 久義; 吉川 正人; 梨山 勇*; 三沢 俊司*; 奥村 元*; 吉田 貞史*
Ito, Hisayoshi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu*; not registered; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*
化学気相成長(CVD)法によりエピタキシャル成長させて作製した立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)結晶において、陽子線・電子線照射により誘起される欠陥の構造を電子スピン共鳴(ESR)測定により調べた。2MeV陽子線照射、1MeV電子線照射3C-SiCのESR測定の結果、15本線(g値=2.0029
0.0001)から成るESRスペクトルが観測された。このスペクトルは、1個の常磁性電子(孤立電子)スピンと4個の等価なC原子位置における
C核スピン及び12個の等価なSi原子位置における
Si核スピンとの超微細相互作用で説明できることが解った。これより、この欠陥の構造としては、3C-SiC中のSi原子位置における点欠陥であると考えられる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 37 |
号 |
: | 6 |
ページ数 |
: | p.1732 - 1738 |
発行年月 |
: | 1990/12 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 1990/07 |
開催都市 |
: | America |
開催国 |
: | |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：98.81 分野：Engineering, Electrical & Electronic |
Altmetrics |
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