吉川 正人; 伊藤 久義; 大島 武; 梨山 勇; 奥村 元*; 吉田 貞史*
Yoshikawa, Masahito; Ito, Hisayoshi; Oshima, Takeshi; Nashiyama, Isamu; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*
6H-SiC MOS構造の照射効果を高周波C-V法を用いて調べた。
COガンマ線照射により、C-V特性が負方向にシフトすることから、6H-SiC MOS構造界面近傍に正の固定電荷が蓄積することがわかった。またこの固定電荷の蓄積は、照射中に印加されるゲートバイアスの極性に影響され、正バイアスでは固定電荷が顕著に蓄積するが負バイアスではまったく蓄積しないことがわかった。これらの結果は、Si MOS構造や3C-SiC MOS構造の照射効果と類似している。これらのことから、6H-SiC MOS構造においても、照射によって発生した正の電荷(正孔又は水素イオン)が酸化膜中を泳動し、界面近傍の固定電荷のプリカーサと反応して固定電荷が発生しているとするメカニズムが考えられた。
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使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | Silicon Carbide and Related Materials 1995 (Institute of Physics Conf. Series,No. 142) |
巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.741 - 744 |
発行年月 |
: | 1996/00 |
発表会議名 |
: | 6th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 1995) |
開催年月 |
: | 1995/09 |
開催都市 |
: | Kyoto |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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