伊藤 久義; 河裾 厚男; 大島 武; 吉川 正人; 梨山 勇; 奥村 元*; 吉田 貞史*
Ito, Hisayoshi; Kawasuso, Atsuo; Oshima, Takeshi; Yoshikawa, Masahito; Nashiyama, Isamu; Okumura, Hajime*; Yoshida, Sadafumi*
耐放射線性SiC半導体中の点欠陥に関する知見を得るために、改良Lely法で作製したSiC単結晶に3MeV電子線を照射し、照射試料の電子スピン共鳴(ESR)測定を行った。1
10
e/cm
照射型n型6H-SiCのESR測定の結果、スピン状態S=1を有すると考えられるESR信号(g値は異方性有: 2.003
2.008)を見い出した。微細相互作用テンソルDに関しては、c軸対称で、主値としては
=3.96 10
cm
なる値が100Kにおいて得られた。この結果から、本ESR中心における2個の電子スピンはc軸方向にそって配置し、その平均距離は4.04
であると考えられる。欠陥構造については、c軸方向に配列した空孔対がひとつの可能性として考えられる。また照射試料の等時アニールの結果、この欠陥のアニールステージは約800
Cであることが解った。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.253 - 255 |
発行年月 |
: | 1997/03 |
発表会議名 |
: | 7th International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research |
開催年月 |
: | 1996/03 |
開催都市 |
: | Takasaki |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | SiC; 欠陥; 電子線照射; 電子スピン共鳴(ESR) |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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