• help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
前の画面に戻る

Comparison of 80keV D$$^{+}$$ ion implantation with thermal D$$_{2}$$ doping in silica by FTIR and ESR spectroscopy

FTIR及びESRスペクトロスコピーによるシリカ中のD原子の挙動の研究,80keVD$$^{+}$$イオンプランテーションと熱的に導入したD$$_{2}$$の比較

佐伯 正克; 大野 新一; 立川 圓造; 東 直人*; 宮崎 哲郎*; 笛木 賢二*

Saeki, Masakatsu; Ono, Shinichi; Tachikawa, Enzo; not registered; not registered; not registered

80keVD$$^{+}$$(D$$_{2}$$$$^{+}$$,D$$_{3}$$$$^{+}$$)イオン注入又はD$$_{2}$$(D$$_{2}$$O)を熱的に導入したシリカ中でのD原子の挙動をFT-IR及びESRスペクトロスコピーで調べた。80keVDイオンはシリカ中でOD結合を形成する。熱的に導入した重水素もOD基を形成する。重水素化したシリカを77Kで$$gamma$$線照射すると、シリカ中に存在するOH結合と同様に、OD結合も切断され、H及びD原子を生ずる。熱的に導入したOD結合の切断率はOH結合の場合とほぼ同じであったが、Dイオン注入により生じたOD結合の切断率は非常に低かった。しかし、Dイオン注入したシリカを773Kでアニール後に測定すると切断率は著しく増加することが分かった。これらの結果はDイオン自身が作った損傷が$$gamma$$線エネルギーの伝播を阻害する結果、OD結合の切断率を低下させているものと考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

J.Am.Ceram.Soc.

巻

 :

68

号

 :

3

ページ数

 :

p.151 - 155

発行年月

 :

1985/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

D atom; Ion implantation; FT-IR; ESR; $$gamma$$-ray irradiation; Bond rupture; Radiation damage

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1985.tb09655.x

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：61.05

分野：Materials Science, Ceramics

Altmetrics

 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

前の画面に戻る