Single crystal growth and fermi surface properties of an antiferromagnet UPdGa

反強磁性体UPdGaの単結晶育成とフェルミ面

池田 修悟; 松田 達磨; 芳賀 芳範   ; 山本 悦嗣  ; 中島 美帆*; 桐田 伸悟*; 小林 達生*; 辺土 正人*; 上床 美也*; 山上 浩志*; 宍戸 寛明*; 植田 泰輝*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦

Ikeda, Shugo; Matsuda, Tatsuma; Haga, Yoshinori; Yamamoto, Etsuji; Nakashima, Miho*; Kirita, Shingo*; Kobayashi, Tatsuo*; Hedo, Masato*; Uwatoko, Yoshiya*; Yamagami, Hiroshi*; Shishido, Hiroaki*; Ueda, Taiki*; Settai, Rikio*; Onuki, Yoshichika

ガリウムの自己フラックス法により、反強磁性体UPdGaの純良な単結晶を育成することに成功した。ドハース・ファンアルフェン効果測定を行うことにより、この系には、反強磁性体UPtGaとよく似た円柱状フェルミ面が含まれていることがわかった。また加圧下電気抵抗測定により、ネール点が3.1GPaで消失することを明らかにした。つまり加圧によって、3.1GPa以上では、反強磁性から常磁性状態へと変化することがわかった。

We have succeeded in growing a high-quality single crystal of an antiferromagnet UPdGa by the Ga-flux method with the off-stoichiometric composition of U : Pd : Ga = 1 : 2 : 7.3. The electronic state has been investigated by the de Haas-van Alphen experiment, indicating the similar cylindrical Fermi surfaces as in an antiferromagnet UPtGa. We have also studied the pressure effect by measuring the electrical resistivity. The Nel temperature decreases with increasing pressure and becomes zero at 3.1 GPa. The antiferromagnetic state is changed into the paramagnetic state above 3.1 GPa.