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Single crystal growth and fermi surface properties of an antiferromagnet UPdGa$$_5$$

反強磁性体UPdGa$$_5$$の単結晶育成とフェルミ面

池田 修悟; 松田 達磨; 芳賀 芳範; 山本 悦嗣; 中島 美帆*; 桐田 伸悟*; 小林 達夫*; 辺土 正人*; 上床 美也*; 山上 浩志*; 宍戸 寛明*; 植田 泰輝*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦

Ikeda, Shugo; Matsuda, Tatsuma; Haga, Yoshinori; Yamamoto, Etsuji; Nakashima, Miho*; Kirita, Shingo*; Kobayashi, Tatsuo*; Hedo, Masato*; Uwatoko, Yoshiya*; Yamagami, Hiroshi*; Shishido, Hiroaki*; Ueda, Taiki*; Settai, Rikio*; Onuki, Yoshichika

ガリウムの自己フラックス法により、反強磁性体UPdGa$$_5$$の純良な単結晶を育成することに成功した。ドハース・ファンアルフェン効果測定を行うことにより、この系には、反強磁性体UPtGa$$_5$$とよく似た円柱状フェルミ面が含まれていることがわかった。また加圧下電気抵抗測定により、ネール点が3.1GPaで消失することを明らかにした。つまり加圧によって、3.1GPa以上では、反強磁性から常磁性状態へと変化することがわかった。

We have succeeded in growing a high-quality single crystal of an antiferromagnet UPdGa$$_5$$ by the Ga-flux method with the off-stoichiometric composition of U : Pd : Ga = 1 : 2 : 7.3. The electronic state has been investigated by the de Haas-van Alphen experiment, indicating the similar cylindrical Fermi surfaces as in an antiferromagnet UPtGa$$_5$$. We have also studied the pressure effect by measuring the electrical resistivity. The N$$acute{rm e}$$el temperature decreases with increasing pressure and becomes zero at 3.1 GPa. The antiferromagnetic state is changed into the paramagnetic state above 3.1 GPa.

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パーセンタイル:43.27

分野:Physics, Multidisciplinary

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