検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年

大気圧非平衡窒素プラズマ及びRFプラズマを用いて作製した低温Si窒化膜/Si表面における結合状態の比較

Comparison of chemical bonding structure at SiN/Si interface fabricated using atmospheric pressure plasma and RF plasma

早川 竜馬*; 中永 麻里*; 吉田 真司*; 田川 雅人*; 寺岡 有殿; 吉村 武*; 芦田 淳*; 功刀 俊介*; 上原 剛*; 藤村 紀文*

Hayakawa, Ryoma*; Nakae, Mari*; Yoshida, Shinji*; Tagawa, Masahito*; Teraoka, Yuden; Yoshimura, Takeshi*; Ashida, Atsushi*; Kunugi, Shunsuke*; Uehara, Tsuyoshi*; Fujimura, Norifumi*

大気圧プラズマとRFプラズマを用いて室温で作製したシリコン窒化膜の化学結合状態を放射光光電子分光で分析して比較した。その結果RFプラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面は5成分から成り立ち、大気圧プラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面は4成分から成り立つこと,RFプラズマを用いて作製したSiN/Si(111)界面にのみSi$$_{3}$$N成分が存在することがわかった。

Chemical bonding states of silicon nitride films formed by an atmospheric plasma method and a RF plasma method were analyzed by photoemission spectroscopy with synchrotron radiation and compared each other. The SiN/Si(111) interface formed by the RF plasma method consisted of 5 components. On the other hand, the SiN/Si(111) interface formed by the atmospheric plasma method consisted of 4 components. The Si$$_{3}$$N component is in the interface formed by the RF plasma method.

Access

:

- Accesses

InCites™

:

Altmetrics

:

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.