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Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い; リアルタイム光電子分光測定から

Comparison of initial oxidation between Si(110) and Si(100) surfaces; From real-time photoemission spectroscopy

末光 眞希*; 加藤 篤*; 富樫 秀晃*; 今野 篤史*; 山本 喜久*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆 ; 成田 克*

Suemitsu, Maki*; Kato, Atsushi*; Togashi, Hideaki*; Konno, Atsushi*; Yamamoto, Yoshihisa*; Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Narita, Yuzuru*

Si(110)-1$$times$$2表面の初期酸化過程をリアルタイム光電子分光法により評価し、Si(100)面酸化と比較した。Si(110)表面ドライ酸化は酸素導入開始直後に表面の数分の1原子層が直ちに酸化される急速初期酸化を示す。急速初期酸化は結合エネルギーの小さいO1s状態の発展を伴い、酸化の進行にしたがってより結合エネルギーの大きなO1s状態がより強く発展する。急速初期酸化は1$$times$$2再配列構造に含まれるとされるSi(111)面と類似した表面アドアトム近傍の酸化と関係付けられる。

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