XPS and STM studies on initial oxidation of Si(110)-162

Si(110)-162表面の初期酸化に関するXPS及びSTMによる研究

末光 眞希*; 富樫 秀晃*; 加藤 篤*; 高橋 裕也*; 今野 篤史*; 山本 喜久*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆 ; 朝岡 秀人  

Suemitsu, Maki*; Togashi, Hideaki*; Kato, Atsushi*; Takahashi, Yuya*; Konno, Atsushi*; Yamamoto, Yoshihisa*; Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Asaoka, Hidehito

その高いホール移動度、及びマルチゲートFETにおける活性面として、Si(110)は次世代CMOSプロセスで重要な働きをすると期待される。われわれはこのSi(110)清浄表面の酸化初期過程を放射光光電子分光法及び走査型トンネル顕微鏡を用いて調べた。Si(110)清浄表面の162再配列構造を反映し、同表面の初期酸化過程は(111)や(001)面にはない特異な酸化特性を示すことを明らかにした。

From its high hole mobility, as well as its inevitable usage as an active layer in multi-gated FETs, Si(110) surface is expected to play a crucial role in the next generation CMOS devices. We have investigated the initial oxidation of Si(110) surface by using SR-XPS and STM. Reflecting its atomistic structure of the 162 reconstruction, initial oxidation of Si(110) surface shows a unique behavior which is not observed on other surfaces like (111) and (001).