イオン注入法により作製したMn添加3C-SiCの磁性

Magnetism of Mn-doped 3C-SiC prepared by ion implantation

高野史好*; Wang, W.*; 大渕博宣*; 菱木繁臣; 大島武; 秋永広幸*

Takano, Fumiyoshi*; Wang, W.*; Ofuchi, Hironori*; Hishiki, Shigeomi; Oshima, Takeshi; Akinaga, Hiroyuki*

ワイドバンドギャップ希薄磁性半導体探索の一環として、Mnドープ立方晶炭化ケイ素(3C-SiC)を調べた。これまで熱拡散法による4H-SiCへの磁性元素Mnの導入は試みられているが、Mn原子はSiCの格子間位置に侵入し、SiあるいはC置換型のSiC:Mnを得ることはできない。今回は、3C-SiCへイオン注入技術を用いることによりMnを導入し、希薄磁性半導体3C-SiC:Mnの作製を試みた。同温度付近で磁化測定の結果、約245Kで強磁性転移を示し、さらに、磁気光学測定においても同温度付近で強磁性を示唆する振る舞いが観測された。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会
開催年月	:	2007/03
開催都市	:	相模原
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	産業技術総合研究所

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登録番号 : BB20063518
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