Si(110)-162表面への水吸着過程のSR-XPS解析

SR-XPS study on the RT-adsorption of water on Si(110)-162

中野卓也*; 長谷川智*; 富樫秀晃*; 加藤篤*; 後藤成一*; 寺岡有殿; 吉越章隆 ; 末光眞希*

Nakano, Takuya*; Hasegawa, Satoshi*; Togashi, Hideaki*; Kato, Atsushi*; Goto, Seiichi*; Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Suemitsu, Maki*

Si(110)-CMOSデバイスの作製には高品質な極薄酸化膜作製を始めとする種々の成膜プロセスが必要であるが、Si(110)面上の表面反応の理解は未だ不十分であるため、われわれはSi(110)-162清浄表面上への酸素吸着量の較正を目的に、室温における水吸着過程を放射光光電子分光法(SR-XPS)によって観察した。実験はベース圧力2.010 $^{-8}$ Paの極高真空チャンバで行い、室温に置かれたSi(110)-162清浄表面にヘリウム希釈の水を供給した。水ドーズ量に対するO1sスペクトルのuptakeを測定した。ラングミュアフィットの飽和値が酸素吸着量の0.5MLに対応すると仮定し、清浄表面を室温にて酸素ガス酸化した際の飽和値を求めたところ0.7MLを得た。これはSi(111)室温ドライ酸化の飽和吸着量0.7MLとよく一致する。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	2007年(平成19年)春季第54回応用物理学関係連合講演会
開催年月	:	2007/03
開催都市	:	相模原
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	SPring-8(大型放射光施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	東北大学

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