放射線グラフト重合法による両性電解質固定高分子界面の作製

Preparation of ampholite-immobilized interface by radiation-induced grafting

岩撫 暁生*; 梅野 太輔*; 斎藤 恭一*; 片貝 秋雄; 玉田 正男

Iwanade, Akio*; Umeno, Daisuke*; Saito, Kyoichi*; Katakai, Akio; Tamada, Masao

両性電解質を有するグラフト鎖のコンホメーションは両電解質の電荷の強弱により影響される。そこで、高分子多孔質膜の界面に放射線グラフト重合法を用いて、両性(ジメチルアミノ基とカルボキシル基)電解質を有するグラフト鎖を固定し、透過流束とリゾチーム吸着容量とを両立できる吸着材を作製した。本研究では電荷の強弱を調節するために、メチレン基数(n)を1から3まで変えた両性電解質を多孔性中空糸膜に導入し、緩衝液の透過流束とリゾチーム(Ly)の平衡吸着量を測定した。n=2の膜は、n=1及び3の膜に比べて透過流束が5倍高かった。これはn=2の膜のグラフト鎖の伸長が抑えられ、ほかの膜に比べ両性電解質の荷電のバランスの効果が強いことを示している。一方、n=1及び3の膜のLy平衡吸着量はエポキシ基から両性電解質基への転化率が40%を超えると急激に増加し、Ly吸着層数の最大値はそれぞれ16及び8であったのに対して、n=2の膜の場合は1/50であった。両性電解質固定グラフト鎖において、転化率とメチレン基の数、nを変化させることによって、Ly平衡吸着量を単層吸着量の1/50から16倍まで調節できることがわかった。

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