イオン注入法により作製したMnドープ3C-SiCの構造と磁性

Structure and magnetism of Mn-doped 3C-SiC fabricated using ion implantation

高野史好*; Wang, W.*; 大渕博宣*; 菱木繁臣; 大島武; 秋永広幸*

Takano, Fumiyoshi*; Wang, W.*; Ofuchi, Hironori*; Hishiki, Shigeomi; Oshima, Takeshi; Akinaga, Hiroyuki*

近年、高い強磁性転移温度を示す強磁性半導体に関する研究開発が盛んに行われている。今回われわれは、母体材料に、パワーエレクトロニクス材料として期待されている立方晶炭化珪素(3C-SiC)を選び、イオン注入技術を用いることにより、希薄磁性半導体3C-SiC:Mnの作製を試み、その構造と磁性を評価した。磁化測定において約245Kの強磁性転移温度を示し、磁気光学測定においても強磁性を示唆する振る舞いが観測された。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	日本物理学会第62回年次大会
開催年月	:	2007/09
開催都市	:	札幌
開催国	:	日本
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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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