Reduction of interface traps and enhancement of channel mobility in n-channel 6H-SiC MOSFETs by irradiation with -rays

線照射によるnチャンネル6H-SiC MOSFETの界面準位トラップの減少とチャンネル移動度の向上

菱木 繁臣; Reshanov, S. A.*; 大島 武; 伊藤 久義; Pensl, G.*

Hishiki, Shigeomi; Reshanov, S. A.*; Oshima, Takeshi; Ito, Hisayoshi; Pensl, G.*

炭化ケイ素(SiC)半導体は優れた耐放射線性を有するため、高い線量下での動作が期待できるが、これまで数MGyといった高線量域までの照射効果を調べた報告はあまりない。そこで今回、n型六方晶(6H)SiCを用いたnチャンネル金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製し、数MGyまでの線照射による特性評価を行った。MOSFETのチャンネルに流れるキャリアについてHall効果測定からHall移動度,キャリア移動度を評価した結果、MGy級の線照射により界面準位が減少しそれに伴いチャンネル移動度が増加することが明らかとなった。

N-channel 6H-SiC MOSFETs has been investigated radiation effect. The MOSFETs were irradiated by -rays up to 3.16 MGy(SiO) at room temperature. The electrical characteristic was estimated by Hall effect measurement and current vs. voltage measurement. The -rays irradiated MOSFETs were observed that channel mobility increased due to decrease interface traps.