Si(110)-162面上極薄酸化膜形成過程とその界面構造

Ultrathin oxide formation process on Si(110)-162 surface and its interface structure

山本 喜久*; 富樫 秀晃*; 加藤 篤*; 末光 眞希*; 成田 克*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆 

Yamamoto, Yoshihisa*; Togashi, Hideaki*; Kato, Atsushi*; Suemitsu, Maki*; Narita, Yuzuru*; Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka

リアルタイム放射光光電子分光法によりSi(110)面上の酸化過程を調査し、その結果、酸化開始直後に急速初期酸化領域が存在すること、同時にSi2p表面コアレベルシフト成分の一つが急減することを報告してきた。今回は表面第1層までの極薄酸化膜形成過程に注目し、Si2pスペクトル中の酸化物成分の時間発展について調査した。実験はSPring-8のBL23SUの表面化学実験ステーションにて行った。酸化は酸素圧力1.010Pa,基板温度813Kの条件下で行った。その結果、Si(110)面における酸化膜形成中のSi2p酸化成分は、1MLの酸化膜形成に至るまで一貫してSiがSiよりも多いことを確認した。

We have investigated oxidation at Si(110) surfaces via real-time photoemission spectroscopy with synchrotron radiation. We have already obtained the following information that rapid initial oxidation region was in the early stage of oxidation and one of shifted Si2p core level components was decreased with increasing oxide. Therefore, we focused our interest to the topmost ultrathin oxide-layer formation and investigated time evolution of oxide components of Si2p photoemission spectrum. All experiments were conducted at surface chemistry station of BL23SU in the SPring-8. The oxygen pressure was 1.010Pa and substrate temperature was 813 K. Consequently, concerning oxide components of Si2p during oxidation, the intensity of Si component was larger than that of Si until 1 ML oxidation.