Dissociative adsorption of nitric oxide on Si(111)-(77) surface

Si(111)-77表面における一酸化窒素の解離性吸着

橋之口 道宏*; 伊藤 裕規*; 寺岡 有殿; 盛谷 浩右*; 岡田 美智雄*; 笠井 俊夫*

Hashinokuchi, Michihiro*; Ito, Hironori*; Teraoka, Yuden; Moritani, Kosuke*; Okada, Michio*; Kasai, Toshio*

Si(111)-77表面でのNO分子の解離性吸着を330Kから600Kの表面温度で光電子分光法で研究した。Si(111)-77表面でのNOの解離性吸着が温度に大きな依存性を持つことがNO供給量の関数としてのN原子とO原子の吸着曲線から示唆された。表面温度が高くなるにつれてNOの解離性吸着の速度は減少した。これは前躯体の存在を表している。加えて、表面でのN/O比が330Kでは1.0であったが、600Kでは1.2になった。この表面温度とともにN/O比が増加するということは、もうひとつの反応経路が高温で開けることを示唆している。

Dissociative adsorption of nitric oxide (NO) on Si(111)-77 surface between 330-600 K was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy. The uptake curves of both N and O atoms as a function of NO dose revealed a prominent temperature dependence of dissociative adsorption of NO on an Si(111)-77 surface. The decrease in the rates of dissociative adsorption of NO with increasing surface temperature suggested existence of a precursor state. Additionally, the N/O ratio on the surface changed from 1.0 at 330 K to 1.2 at 600 K. This increasing N/O ratio with increasing surface temperature suggests that an additional reaction path opens at higher surface temperature.