Single crystal growth and the fermi surface property in LuCoGa

LuCoGaの単結晶育成及びフェルミ面の特性

松田 達磨; 芳賀 芳範   ; 酒井 宏典   ; 青木 大*; 池田 修悟; 山本 悦嗣  ; 宍戸 寛明*; 摂待 力生*; 播磨 尚朝*; 大貫 惇睦

Matsuda, Tatsuma; Haga, Yoshinori; Sakai, Hironori; Aoki, Dai*; Ikeda, Shugo; Yamamoto, Etsuji; Shishido, Hiroaki*; Settai, Rikio*; Harima, Hisatomo*; Onuki, Yoshichika

HoCoGa-型正方晶をとるLuCoGaの純良単結晶育成に成功した。得られた単結晶を用いて、結晶構造パラメータを決定し、さらに抵抗,比熱,ドハース・ファンアルフェン効果測定を行った。フェルミ面は、シリンダー状に近いトポロジーを有しており、これらの特徴はFLAPW法によるエネルギーバンド計算によって非常によく説明できることが明らかとなった。

We succeeded in growing a high-quality single crystal of LuCoGa with the HoCoGa-type tetragonal crystal structure by the Ga self-flux method. The lattice parameters, fractional coordinates, and thermal parameters were determined from single-crystal X-ray diffraction measurements. We also measured the electrical resistivity, specific heat, and the de Haas-van Alphen (dHvA) effect. The Fermi surface mainly consists of two nearly cylindrical Fermi surfaces, which are well explained by the results of full-potential linearized augmented plane wave (FLAPW) energy band calculations.