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角度分解光電子分光によるCeIrSi$$_{3}$$, LaIrSi$$_{3}$$の電子構造の研究

Electronic structure of CeIrSi$$_{3}$$ and LaIrSi$$_{3}$$ by angle-resolved photoemission spectroscopy

利光 孝文; 大河内 拓雄; 保井 晃; 小林 正起*; 竹田 幸治  ; 岡根 哲夫 ; 斎藤 祐児 ; 藤森 淳; 山上 浩志; 宮内 裕一朗*; 奥田 悠介*; 摂待 力生*; 大貫 惇睦*

Toshimitsu, Takafumi; Okochi, Takuo; Yasui, Akira; Kobayashi, Masaki*; Takeda, Yukiharu; Okane, Tetsuo; Saito, Yuji; Fujimori, Atsushi; Yamagami, Hiroshi; Miyauchi, Yuichiro*; Okuda, Yusuke*; Settai, Rikio*; Onuki, Yoshichika*

CeIrSi$$_{3}$$は電気抵抗測定,磁化測定,dHvA効果測定実験が行われており、空間反転対称性のない物質で、高圧下超伝導状態が確認されている物質である。SPring-8 BL23SU軟X線ビームラインにおいて、同じ結晶構造を持つ物質CeIrSi$$_{3}$$, LaIrSi$$_{3}$$の単結晶の角度分解光電子分光を測定し、CeIrSi$$_{3}$$とLaIrSi$$_{3}$$を比べてどのような変化が見られるのかを調べた。この変化はCe 4$$f$$電子が引き起こすものであると考えることができる。測定温度は20K,入射光エネルギーh$$nu$$=745eV(CeIrSi$$_{3}$$), h$$nu$$=742eV(LaIrSi$$_{3}$$)を用いて、ほぼ同じ面に対して角度分解光電子分光測定を行い、バンド分散及びフェルミ面マッピングを得た。図1には、LaIrSi$$_{3}$$, CeIrSi$$_{3}$$のバンド分散図を示した。$$Gamma$$点付近,Z点付近のフェルミ準位近傍ではバンド形状に大きな差異が見られ、2eV以下ではそのままのバンド形状でLaIrSi$$_{3}$$よりもCeIrSi$$_{3}$$の方が全体的に数100meVほど下がった形状になっている。フェルミ準位付近のバンド形状の差異はフェルミ面にも現れており、また、バンド計算での結果もこの実験の傾向とよい一致を示している。講演ではLaIrSi$$_{3}$$, CeIrSi$$_{3}$$のそれぞれのバンド分散図,フェルミ面マッピング、そして各々のバンド計算との比較も同時に議論する。

no abstracts in English

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