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URu$$_2$$Si$$_2$$の輸送特性と試料依存性,2

Sample dependence of transport properties in URu$$_2$$Si$$_2$$, 2

松田 達磨; Hassinger, E.*; 青木 大*; Taufour, V.*; Flouquet, J.*; 立岩 尚之   ; 山本 悦嗣  ; 芳賀 芳範   ; 大貫 惇睦

Matsuda, Tatsuma; Hassinger, E.*; Aoki, Dai*; Taufour, V.*; Flouquet, J.*; Tateiwa, Naoyuki; Yamamoto, Etsuji; Haga, Yoshinori; Onuki, Yoshichika

URu$$_2$$Si$$_2$$ではTo=17.5K以下の秩序相をめぐって、発見から25年も経過した現在でも、精力的に研究が行われている。ごく最近の研究では、加圧下のフェルミ面の観測実験が行われるなど、多くの実験で、より高純度単結晶試料の必要性が高まっている。われわれの研究グループでは、長年URu$$_2$$Si$$_2$$の高純度単結晶の育成を行ってきた。最近では、電気抵抗の超伝導転移直上からの外挿値では、残留抵抗を見積もれないほどの結晶の高純度化に成功している。これらの高純度結晶を用いた低温の輸送特性について調べ、この系の本質的振舞いを明らかにした。

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