3C-SiC(100)/Si(100)薄膜上グラフェン形成過程のLEED及びSR-XPS観察

LEED and SR-XPS observations of graphene formation processes on 3C-SiC(100)/Si(100) thin film

猪俣 州哉*; 半田 浩之*; 阿部 峻佑*; 高橋 良太*; 今泉 京*; 吹留 博一*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆 ; 小嗣 真人*; 大河内 拓雄*; 木下 豊彦*; 末光 眞希*

Inomata, Shuya*; Handa, Hiroyuki*; Abe, Shunsuke*; Takahashi, Ryota*; Imaizumi, Kei*; Fukidome, Hirokazu*; Teraoka, Yuden; Yoshigoe, Akitaka; Kotsugi, Masato*; Okochi, Takuo*; Kinoshita, Toyohiko*; Suemitsu, Maki*

Si(100)基板上に形成した3C-SiC(100)薄膜の熱処理によって形成されるグラフェンの表面原子配列を低エネルギー電子回折(LEED)法で、表面原子組成と化学結合状態を放射光X線光電子分光(SR-XPS)法で評価した。LEEDからグラフェンは下地のSiC(100)層に対して15度回転して積層していることがわかった。また、SR-XPSからグラフェン層とSiC(100)層の間には界面層が存在しないことがわかった。

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